隨著 AI 與高效能運算（HPC）需求持續攀升，半導體產業正同步面臨功耗密度、熱管理、互連頻寬與製程可延展性等多重極限挑戰，單一製程微縮已難以支撐效能持續成長。未來運算效能的突破，將高度仰賴新型電晶體架構、光電整合互連，以及跨領域元件技術的系統級整合。
為協助產業掌握關鍵技術演進方向，閎康科技將於 2026 年 3 月 27 日（五）下午 1 時至 5 時，於新竹矽導廠（新竹市力行一路 1 號 1A3）舉辦「MAFT 研討會：矽光啟程—從 GAAFET、CPO 矽光子到 3D-IC 的跨界佈局」，邀請國內光電與半導體領域重量級學者，從元件物理、製程整合到可靠度與分析觀點，深入探討 AI 時代下的關鍵工程挑戰與技術路徑。
本次研討會將聚焦 CFET、矽光子／CPO、InP 光源、氧化物 TFT 與 3D-IC 應用演進。首場由陽明交通大學光電工程學系郭浩中教授主講「InP EML and CPO 最新進展」，解析磷化銦電致吸收調變雷射（InP EML）與共同封裝光學（CPO）技術，說明異質整合如何突破 1.6T 以上高速傳輸的頻寬瓶頸，並回應 AI 資料中心對功耗與延遲的迫切需求，同時探討材料分析（MA）與失效分析（FA）在提升 CPO 良率與可靠度中的關鍵角色。
第二場演講由陽明交通大學光電工程學系劉柏村教授帶來「從顯示器背板驅動到智慧 3D-IC 晶片技術：氧化物薄膜電晶體技術的跨域演進」，系統性回顧 TFT 技術從顯示應用出發，逐步延伸至智慧感測、類神經運算，乃至立體晶片 3D-IC 的應用潛力，說明其在材料、元件與製程整合上的關鍵突破。
第三場次則由臺灣大學電子工程學研究所劉致為教授主講「HPC is Too “Hot” and CFET is Hotter」，將介紹 先進液體冷卻與鑽石散熱技術，以及次世代 CFET 垂直堆疊電晶體架構 的最新研究進展，並說明如何透過 熱電協同設計與高導熱材料，改善 3D 堆疊晶片的熱管理問題，為未來 HPC 與先進製程提供關鍵解決方向。
閎康科技表示，本次 MAFT 研討會不僅聚焦前瞻製程與光電整合技術，更希望透過材料與可靠度分析的觀點，協助產業界建立未來運算架構的關鍵競爭力。
（首圖來源：Shutterstock；資料來源：TechNews）
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