Tag Archives: CFET

台積電談先進製程「日出時刻」：CFET、3D 堆疊、矽光子新進展

作者林妤柔|發布日期 2024 年 02 月 22 日 7:04 |

分類半導體 , 晶圓 , 晶片

台積電業務開發資深副總裁張曉強（Kevin Zhang）在國際固態電路大會 ISSCC 2024 介紹公司最新技術，並分享未來技術演進、對於先進製程展望，以及各領域中所需要的最新半導體技術。繼續閱讀..

3D 堆疊延續摩爾定律，GAAFET 後下一代 CFET 架構是什麼？

作者林妤柔|發布日期 2024 年 01 月 19 日 7:30 |

分類半導體 , 尖端科技 , 技術分析

隨著半導體製程不斷微縮，晶圓代工廠加緊腳步開發更先進技術，三大製造商台積電、英特爾和三星都在 IEEE 展示各自開發新電晶體元件 CFET（互補場效應電晶體）的方法。繼續閱讀..

GAA 剛量產，英特爾、三星、台積電就展示下代 CFET 架構

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 12 月 21 日 10:30 |

分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

日前 IEEE IEDM 國際電子元件會議，英特爾、台積電和三星都展示 CFET 電晶體解決方案，堆疊式 CFET 架構電晶體將 n 和 p 兩種 MOS 元件堆疊在一起，未來將取代 GAA（Gate-All-Round）成新電晶體設計，以使密度翻倍。

GAA 技術才開始，英特爾、台積電已著手研發下一代 CFET 技術

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 10 月 06 日 9:20 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

外媒 eNewsEurope 報導，英特爾 (Intel) 和台積電將在國際電子元件會議 (IEDM) 公佈垂直堆疊式 (CFET) 場效電晶體進展，使 CFET 成為十年內最可能接替閘極全環電晶 (GAA) 電晶體的下一代先進製程。

IMEC 發表以 Chiplet 為基礎 1 奈米以下製程

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 05 月 30 日 14:50 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試

比利時微電子研究中心 (IMEC) 發表 1 奈米以下製程藍圖，分享對應電晶體架構研究和開發計畫。

英特爾介紹下一代 GAA 技術，發展堆疊式 CFET 電晶體架構

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 05 月 23 日 9:40 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

日前比利時安特衛普舉行的 ITF World 2023，英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 概述幾個關鍵領域最新發展，其一便是英特爾將採堆疊式 CFET 電晶體架構。這是英特爾首次公開介紹新電晶體設計，但未提到量產日期或時間表。