從 GAAFET 到 3D-IC：AI 晶片的技術轉折點 |
作者
TechNews|發布日期
2026 年 03 月 09 日 9:00 |
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隨著 AI 與高效能運算（HPC）需求持續攀升，半導體產業正同步面臨功耗密度、熱管理、互連頻寬與製程可延展性等多重極限挑戰，單一製程微縮已難以支撐效能持續成長。未來運算效能的突破，將高度仰賴新型電晶體架構、光電整合互連，以及跨領域元件技術的系統級整合。
超越摩爾時代即將來臨？0.2 奈米將在 2040 年出現 |
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作者
蘇 子芸|發布日期
2025 年 12 月 26 日 15:30 |
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根據韓國半導體工程師協會發表的《반도체 기술 로드맵 2026》（半導體技術路線圖 2026），全球半導體產業正規劃在未來 15 年內，將先進邏輯製程從現行的 2 奈米節點，逐步推進至 2040 年的 0.2 奈米，正式進入埃米（Å）世代。隨著傳統線寬微縮逐漸逼近物理極限，未來製程演進將不再僅仰賴微影技術，而是轉向結構、材料與系統層級的全面革新。 繼續閱讀..
為埃米時代開始準備，imec 提出雙列 CFET 結構推動 7 埃米製程 |
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作者
Atkinson|發布日期
2024 年 12 月 10 日 15:10 |
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在 2024 年 IEEE 國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表一款採用互補式場效電晶體（CFET）的全新標準單元結構，內含兩列 CFET 元件，兩者之間共用一層訊號佈線牆。這種雙列 CFET 架構的主要好處在於簡化製程和大幅減少邏輯元件和靜態隨機存取記憶體（SRAM）的面積—根據 imec 進行的設計技術協同優化（DTCO）研究。與傳統的單列 CFET 相比，此新架構能讓標準單元高度從 4 軌降到 3.5 軌。
