英特爾介紹下一代 GAA 技術，發展堆疊式 CFET 電晶體架構

日前比利時安特衛普舉行的 ITF World 2023，英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 概述幾個關鍵領域最新發展，其一便是英特爾將採堆疊式 CFET 電晶體架構。這是英特爾首次公開介紹新電晶體設計，但未提到量產日期或時間表。

2021 年「英特爾加速創新：製程技術和封裝技術線上發表會」，英特爾確認 Intel 20A 製程採 Gate All Around（GAA）技術 RibbonFET 電晶體架構，以取代 2011 年沿用至今的 FinFET 電晶體架構。新技術加速電晶體開關，占用空間較少，達成與多鰭結構相同驅動電流水準。Ann Kelleher 表示，RibbonFET 將在 2024 年亮相。

英特爾還展示下一代 GAA 堆疊式 CFET 電晶體架構，允許堆疊 8 個奈米片，是 RibbonFET 的 4 個奈米片兩倍，增加電晶體密度。CFET 電晶體將 n 和 p 兩種 MOS 元件堆疊在一起，以達成更高的密度。英特爾正在研究兩種 CFET 電晶體，也就是單片式和順序式，但未確定最後採哪種 CFET 電晶體，或還有其他類設計出現。

英特爾表示，今年電晶體將進化到 5 埃米，CFET 電晶體架構類型還會發生變化，也是不可避免。英特爾只是概述電晶體技術大概發展藍圖，並沒有分享太多細節，將來應該還會陸續公開更多資訊。

(首圖來源：英特爾)