英特爾研發 XBM 次世代記憶體架構挑戰 HBM4，規劃 2030 年進入商業化市場 |
作者
Atkinson|發布日期
2026 年 07 月 08 日 7:15 |
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隨著 AI 晶片需求暴增，現有的 HBM（高頻寬記憶體）面臨缺貨、價格高昂及高功耗等挑戰，業界甚至開始尋求 LPDDR 做為替代方案。對此，半導體大廠英特爾最新曝光了名為「XBM」（Cross-Batch Memory）的超高頻寬記憶體架構專利，目的在未來取代 HBM4，並期望透過更低的成本與更高的頻寬來解決現有瓶頸。該技術預計將與英特爾的另一項 ZAM（Z-Angle Memory）技術同步，瞄準 2030 年之後的商業化市場。
晶圓在美、封裝在台！「美國製造」AI 晶片的骨感現實，關鍵環節仍斷鏈 |
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作者
TechNews 編輯台|發布日期
2026 年 07 月 07 日 11:10 |
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輝達（NVIDIA）與英特爾（Intel）近日分別強調其在美國本土半導體供應鏈的布局，凸顯美國先進晶圓製造能力正在擴大。不過，從目前產業鏈實況來看，最關鍵的先進封裝與高頻寬記憶體（HBM）環節仍高度依賴亞洲，代表所謂「美國製造」的 AI 晶片供應鏈，短期內仍難真正做到全程留在美國境內。 繼續閱讀..
英特爾先進製程傳報捷，Intel 18A 良率提升，Intel 14A 估 2029 年量產 |
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作者
Atkinson|發布日期
2026 年 07 月 06 日 14:55 |
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半導體大廠英特爾(Intel)在其先進製造發展藍圖上進入了重要里程碑，根據研究機構 BlueFin Research Partners 所發布的最新分析報告指出，英特爾已成功克服先前 Intel 18A 製程的良率問題，並取得了實質性的改善。由於 Intel 18A 製程在市場上直接與台積電的 2 奈米節點競爭，使得這項突破也順勢推動了英特爾晶圓代工策略邁入下一階段，準備將更先進的 Intel 18A-P 節點投入風險試產。
DDR5 價格高漲導致 DIY 成本攀升，英特爾傳擴大中國 10~14 代 CPU 供應 |
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作者
TechNews 編輯台|發布日期
2026 年 07 月 03 日 10:50 |
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DDR5 記憶體價格持續高漲、平價裝機壓力增加，英特爾傳出增加中國舊世代桌上型處理器出貨，涵蓋第 10 代、第 12 代、第 13 代與第 14 代 Core 產品線。外媒 2 日報導，這波供貨調整可視為回應 DIY 市場對 DDR4 平台需求回升的重要動作。 繼續閱讀..
