隨著運算與人工智慧（AI）需求急遽攀升，全球晶圓代工市場戰火持續升溫。為應對台積電與三星即將推出的 1.4 奈米先進技術，英特爾 (Intel) 正考慮更新其製程技術藍圖，計劃推出 Intel 14A 製程的改良版 Intel 14A2 節點製程，並預計導入創新的雙面（Dual-Side）供電架構。
1.4 奈米等級競爭，台積電 2027 年啟用 A14 晶圓廠，三星 1.4 奈米量產目標鎖定 2029 年。同時英特爾預定 2027 年推出突破性 14A 製程，並表示有外部客戶排隊準備採用，重振晶圓代工與製造業務。英特爾近期更在矽谷核心地帶的聖克拉拉（Santa Clara）新製造設施動土，展現重返半導體產業領導地位的決心。
韓國媒體 ETNews 報導，為 Intel 14A 升級版，Intel 14A2 架構有重大改變。原本英特爾預定基礎 1.4 奈米製程使用專注背面供電網路（BSPDN）的 PowerDirect術。但後續 Intel 14A2 製程，英特爾考慮導入結合正面與背面供電的「雙面架構」。
此外，基礎 Intel 14A 節點的 M0 金屬層間距（pitch）為 28 奈米，而 Intel 14A2 會將間距進一步微縮至 21 奈米。這項微縮技術將透過雙重曝光等改進來達成，進一步帶來更高的電晶體密度（Intel 14A 預計已能提供 30% 的密度提升，Intel 14A2 將更進一步）。這樣雖然能提升 High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光）設備的使用率及單機獲利能力，但也伴隨著技術挑戰。
因為 21 奈米的間距會導致電阻增加，且奈米矽穿孔（nTSVs）的設計並無法負荷如此高的密度。為了解決此問題，英特爾預計將採用了複合結構設計，以背面供電（BSPDN）做為主要電源，同時將部分供電分配給正面金屬層。
展望未來市場，由於台積電目前已湧入大量訂單，許多晶片製造商開始將目光轉向英特爾與三星等其他代工廠。儘管英特爾目前信心滿滿，但要真正贏得外部客戶的信任，英特爾仍必須透過 Intel 18A-P、Intel 14A 與備受矚目的 Intel 14A2 等產品的良率保證，證明半導體代工的實力。
(首圖來源：科技新報攝)
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