Tag Archives: GAA

台積電 2 奈米製程進展順利，寶山 P1 廠最快第二季初設備安裝
作者 |發布日期 2024 年 01 月 16 日 7:00 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 國際觀察

根據市場消息指出，晶圓代工龍頭台積電預計自 2 奈米製程開始採用 GAA（全柵極環繞）架構的計畫將如期執行。現階段位於新竹科學園區的寶山 P1 晶圓廠，預計最快將在 2024 年的 4 月份開始進行設備安裝的工程，這也將使得 P2 工廠和高雄工廠都將於 2025 年開始生產 GAA 架構的 2 奈米製程技術。

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半導體廠競逐 2 奈米低價搶市，專家：台積電囊括多數訂單
作者 |發布日期 2023 年 12 月 17 日 16:08 |
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分類 半導體 , 奈米 , 尖端科技

台積電 2 奈米製程進展順利，不過距離量產時間 2025 年仍有 1 年多，對手三星及英特爾近期已陸續傳出低價搶單，使得 2 奈米製程的競爭態勢升溫。產業專家認為，隨 AI 晶片市場競爭加劇，製程上不容出錯，預期台積電 2 奈米仍可囊括多數訂單。

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三星 3 奈米 GAA 晶片客戶在哪？加密貨幣挖礦專用 ASIC 現蹤
作者 |發布日期 2023 年 07 月 24 日 12:40 |
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分類 Samsung , 加密貨幣 , 晶片

三星 3 奈米 GAA 製程晶片最近成為關注焦點，因為良率大幅提升，目前加拿大研究機構 TechInsights 發現在加密貨幣 ASIC 中看到三星 3 奈米製程的 Whatsminer M56S++ 晶片，也符合有報導稱三星已向中國加密貨幣礦商運送首批 3 奈米晶片。 繼續閱讀..

力拚五年內超越台積電！三星宣布二代 3 奈米製程
作者 |發布日期 2023 年 05 月 10 日 8:00 |
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分類 IC 設計 , Samsung , 半導體
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南韓三星去年 6 月底量產第一代 3 奈米 GAA (SF3E) 製程，是三星首次採用全新 GAA (Gate-All-Around) 架構電晶體技術，打破 FinFET 性能限制，降低工作電壓提高能耗比，增加驅動電流提升晶片性能。外媒報導，三星將介紹第二代 3 奈米製程，效能較第一代 3 奈米製程再最佳化。11 日為台積電技術論壇台北場開始，三星此時宣布頗有較勁意味。

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