日前 IEEE IEDM 國際電子元件會議,英特爾、台積電和三星都展示 CFET 電晶體解決方案,堆疊式 CFET 架構電晶體將 n 和 p 兩種 MOS 元件堆疊在一起,未來將取代 GAA(Gate-All-Round)成新電晶體設計,以使密度翻倍。
GAA 剛量產,英特爾、三星、台積電就展示下代 CFET 架構 |
作者 Atkinson|發布日期 2023 年 12 月 21 日 10:30 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 |