外媒報導,南韓三星雖然 3 奈米 GAA 晶片生產領先台積電,但不代表進展順利。消息來源指出,三星 3 奈米 GAA 技術良率非常糟,僅 20%,為了解決這困境,三星計劃透過與美國公司合作提高良率。
三星 3 奈米 GAA 製程良率僅 20%,急找美國合作夥伴改善 |
作者 Atkinson|發布日期 2022 年 11 月 22 日 12:15 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 |
該不該換手機?高通年底推 Snapdragon 8 Gen 2 效能更強大 |
作者 Atkinson|發布日期 2022 年 05 月 25 日 15:40 | 分類 Android 手機 , IC 設計 , 晶片 | edit |
行動處理器龍頭高通(Qualcomm)才發表 Snapdragon 8+ Gen 1 旗艦型行動處理器,受惠台積電 4 奈米製程,使性能較前一代 Snapdragon 8 Gen 1 提升 10%,功耗降低 30%,有著不錯水準,且預計第三季推出搭載 Snapdragon 8+ Gen 1 的產品終端裝置。這下問題來了,距年底每年高通發表新處理器的時間僅半年,消費者是要現在換機,還是等暫名 Snapdragon 8 Gen 2 上市,讓想換機的消費者頗為困擾。
應材推出運用 EUV 延展 2D 微縮與 3D 閘極全環電晶體技術 |
作者 Atkinson|發布日期 2022 年 04 月 25 日 14:15 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片 | edit |
美商應材公司今日表示,策略是成為「PPACt 推動公司」 (PPACt enablement company)。因此,新發表七項創新技術,其目的就是要協助客戶運用 EUV 以持續進行 2D 微縮。新一代 GAA 電晶體的製造方式與當前的 FinFET 電晶體有所不同,以及應材備妥為 GAA 的製造提供業界最完整的產品組合,包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案 (Integrated Materials SolutionsTM) 的情況下,藉此產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。