中國長鑫存儲發表 GAA 技術論文，顯示打破美國制裁封鎖

中國記憶體廠長鑫存儲（CXMT）日前於舊金山第 69 屆 IEEE 國際電子元件年會（IEDM）發表論文，展示環繞式閘極結構（Gate-All-Around，GAA） 技術，適用 3 奈米級晶片。顯示中國半導體突破美國制裁封鎖，朝先進製程前進。

南華早報報導，長鑫存儲聲明顯示，論文描述與 DRAM 結構和 4F2 設計可行性相關的基礎研究，與長鑫存儲技術無關，暗示還遠未成為商品化產品。長鑫存儲出口管制專家表示，任何長鑫存儲違反美國制裁或出口管制的指控完全不準確，堅信 IEDM 尋求促進思想自由流動對業界創新和發展至關重要。

雖然長鑫存儲 GAA 技術尚未提供樣品，但下一代記憶體晶片證據引起產業人士關注，通常與美國出口限制技術有關。半導體研究公司 SemiAnalysis 首席分析師 Dylan Patel 在 X 指出，承認長鑫存儲論文，最先進晶體管架構取得進展，打破美國的制裁。

長鑫存儲成立於 2016 年，主從事 DRAM 設計研發、生產銷售。於合肥和北京營運 12 吋晶圓廠。2022 年 10 月美國將長鑫存儲列入出口管制清單，因之前傳出完成自研量產 LPDDR5 DRAM 記憶體晶片，引起韓國震撼，因若消息屬實，中國 DRAM 技術就只落後韓國三星四年。

(首圖來源：長鑫存儲)