三星電子近日宣布一項重大技術突破與未來願景,就是計劃將鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術應用於 NAND Flash 快閃記憶體生產上。此動作被解讀為三星為因應人工智慧(AI)晶片組對更大容量 NAND Flash 快閃記憶體的需求所做的準備。不過,這項技術屬於未來技術,實際應用仍需一段時間。
三星宣布 NAND Flash 產線導入 FinFET 製程 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 10 月 23 日 13:50 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 |




