台積電 N2 製程不會同時採用 GAAFET 及晶背供電技術以降低風險

外媒《AnandTech》報導，台積電技術論壇公布 2 奈米製程 (N2) 細節時表示，將採用兩個關鍵性技術，閘極全環電晶體技術 (GAAFET) 與晶背供電技術。不過兩項技術預計不會同時用在 N2 節點，預計比 N2 更先進的改良版製程，才會用到晶背供電技術。

台積電 N2 先進節點提到的兩個關鍵技術，為閘極全環電晶體技術 (GAAFET) 與晶背供電技術。GAAFET 相較主流鰭式場效電晶體技術 (FinFET)，GAAFET 特點是解決漏電問題，加上四面柵極包覆，改善電晶體傳輸效率，提高運算效能之外也降低功耗。即便 N2 採用 GAAFET 技術而有更多優點，事實卻證明台積電不會在第一代 N2 先進節點導入晶背供電技術，而是更先進的 N2 改良版製程才用。

為什麼 N2 先進節點不用晶背供電技術，台積電並沒有明確說明。據了解，台積電想法是晶背供電技術一旦加入，會增加製程步驟，對台積電初次嘗試 GAAFET 技術來說，似乎增加不必要風險，所以才決定晶背供電於改良版再加入。

雖 N2 先進製程節點沒有晶背供電技術，整體效能較 N3E 製程提升沒有太多，對高效能運算 (HPC) 來說，運算效能提升 10%~15% 並不讓人特別驚豔，如果配合晶背供電，功耗可下降 25%~35%，對行動裝置就有大幫助。然考量到台積電為因應各種客戶需求，各節點製程將推出不同更新或加強版，這次似乎並不特別。

競爭對手英特爾將在 Intel 20A 先進節點製程，採用自家研發的 GAAFET 與晶背供電技術，也就是 2024 年中推出以 RibbonFET 技術和藉 PowerVia 供電的產品，並持續開發兩項技術。相較之下，台積電先進節點創新與冒險態度相對保守，可能使台積電進步放緩，但也預計可因提供客戶更穩定品質及一定時程推出的創新產品。

雖然離新製程出場還有幾年，但台積電首代 N2 先進節點製程會進步多少，甚或沒有晶背供電技術而使台積電居下風，都是實體產品出現前的觀察重點。

(首圖來源：shutterstock)