Tag Archives: GAAFET

三星 3 奈米 GAA 部分細節曝光，電晶體密度最高較 7 奈米提升 80%
作者 |發布日期 2021 年 03 月 15 日 15:10 |
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分類 Samsung , 晶圓 , 晶片

目前晶圓代工市場正加緊布局，期望 2030 年能超車台積電，成為系統半導體龍頭的三星，2020 年初就宣佈克服 3 奈米製程關鍵的 GAAFET 環繞閘極電晶體製程，預計 2022 年正式推出。雖然目前此製程技術消息甚少，據外媒《tomshardware》報導，三星在 IEEE 國際積體電路會議，公佈採用 GAAFET 技術的 3GAE 製程部分相關細節，可一窺三星目前發展。

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研調：2019~2024 年全球晶圓代工產值 CAGR 估 5.3%
作者 |發布日期 2019 年 10 月 14 日 14:00 |
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分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

今年下半終端市場需求疲弱、貿易戰等不利因素持續影響，DIGITIMES Research 分析師陳澤嘉預估，2019 年全球晶圓代工產值將衰退 3%，但隨總體經濟緩步回溫，及 5G、AI、高效能運算（HPC）等應用需求增加，加上晶圓代工業者持續推動先進製程，並積極布局 3D IC 封裝技術，以延續摩爾定律發展，預估明年全球晶圓代工產值將重回成長軌道，2019~2024 年全球晶圓代工產值年複合成長率（CAGR）可望達 5.3%。 繼續閱讀..