三星 3 奈米 GAA 部分細節曝光,電晶體密度最高較 7 奈米提升 80%

作者 | 發布日期 2021 年 03 月 15 日 15:10 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
三星 3 奈米 GAA 部分細節曝光,電晶體密度最高較 7 奈米提升 80%


目前晶圓代工市場正加緊布局,期望 2030 年能超車台積電,成為系統半導體龍頭的三星,2020 年初就宣佈克服 3 奈米製程關鍵的 GAAFET 環繞閘極電晶體製程,預計 2022 年正式推出。雖然目前此製程技術消息甚少,據外媒《tomshardware》報導,三星在 IEEE 國際積體電路會議,公佈採用 GAAFET 技術的 3GAE 製程部分相關細節,可一窺三星目前發展。

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