力拚台積電押寶 3 奈米 GAAFET 技術，三星 3 年內良率成關鍵

南韓媒體表示，南韓三星計劃 3 年內建立 GAAFET 技術 3 奈米節點，成為晶圓代工業界的遊戲規則破壞者，追上全球晶圓代工龍頭台積電。

《BusinessKorea》指出，GAAFET 技術是新世代製程，改善半導體電晶體結構，使柵極接觸電晶體所有四面，而不是目前 FinFET 製程三面，使 GAAFET 技術生產晶片比 FinFET 更精確控制電流。

市場研究調查機構 TrendForce 報告指出，2021 年第四季台積電全球晶圓代工產業以高達 52.1% 市占率狠甩南韓三星，為了追上台積電，三星押注 GAAFET 技術，並首先用於 3 奈米節點，6 月開始試產，成為全球首家採用 GAAFET 技術的晶圓代工廠。三星資料顯示，與 5 奈米製程相較，GAAFET 技術 3 奈米製程效能提高 15%，耗能降低 30%，晶片面積減少 35%。

三星近期試產 GAAFET 技術 3 奈米製程後，接下來是 2023 年導入第二代 3 奈米製程晶片量產，並 2025 年量產 GAAFET 技術 2 奈米製程。反觀台積電，下半年量產採用 FinFET 技術 3 奈米節點。台積電沿用 FinFET 技術的原因是成本與穩定性。

南韓市場人士表示，如果三星 GAAFET 為主 3 奈米製程確保良率，就能成為代工市場的遊戲規則破壞者。加上台積電日前公布 2025 年才會導入 GAAFET 技術 2 奈米製程，2026 年左右發表第一款產品，從 2022 年底到 2025 年 3 年，對三星晶圓代工業務來說非常關鍵。

近日三星宣佈五年內投資半導體等關鍵產業總計 450 兆韓圜，卻面臨 3 奈米製程障礙。與三星相同的是，台積電提高 3 奈米良率也有困難，原本計劃 7 月開始為英特爾和蘋果量產 3 奈米晶片，GPU 大廠輝達也支付高達 90 億美元預付款，採台積電 3 奈米生產今年發表的 GeForce RTX40 系列 GPU，但良率問題，GeForce RTX40 系列 GPU 最後採 5 奈米而非 3 奈米。