應材推出運用 EUV 延展 2D 微縮與 3D 閘極全環電晶體技術 |
作者
Atkinson|發布日期
2022 年 04 月 25 日 14:15 |
|
美商應材公司今日表示，策略是成為「PPACt 推動公司」 (PPACt enablement company)。因此，新發表七項創新技術，其目的就是要協助客戶運用 EUV 以持續進行 2D 微縮。新一代 GAA 電晶體的製造方式與當前的 FinFET 電晶體有所不同，以及應材備妥為 GAA 的製造提供業界最完整的產品組合，包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案 (Integrated Materials SolutionsTM) 的情況下，藉此產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。
能降低 85% 的能耗，IBM 和三星的新晶片設計為什麼這麼厲害？ |
|
作者
雷峰網|發布日期
2021 年 12 月 18 日 11:00 |
|
IBM 和三星在半導體設計上再取得新進展！據兩家公司稱，他們研發出一種在晶片上垂直堆疊電晶體的新設計。而在之前的設計中，電晶體是被平放在半導體表面上的。 繼續閱讀..
5 到 3 奈米先進製程競爭，將是台積電與三星後續發展關鍵 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2020 年 04 月 30 日 15:50 |
|
29 日，南韓三星發布 2020 年第 1 季財報，雖然營收達到 55.3 兆韓圜，較 2019 年同期增加 5.61%，營業利益也較 2019 年增加 3.15%，金額達到 6.4 兆韓圜，不過，其中的晶圓代工業務獲利些許下滑，顯示三星在晶圓代工業務上與台積電的競爭逐漸擴大。對此，三星就表示，2020 年第 2 季將加強採用極紫外光刻 (EUV) 的競爭優勢，開始量產 5 奈米製程之外，還將更專注 3 奈米於 GAA 製程的研發工作，藉以達到 2030 年成為非記憶體的系統半導體龍頭目標。
台積電全球技術論壇延後夏末召開，3 奈米製程技術延期發表 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2020 年 03 月 19 日 10:00 |
|
在武漢肺炎疫情的擴散下，日前南韓三星才宣布，原本自 2020 年 5 月 20 日開始的晶圓製造技術論壇 (Samsung Foundry Forum 2020) 將無限期延期之後，18 日龍頭台積電也在官網上宣布，預計將在美國聖克拉拉 (Santa Clara) 舉行的北美技術論壇也將延期至 2020 年的 8 月 24 日召開。而原本台積電計劃在本次論壇中公布新世代 3 奈米製程相關技術細節，如今隨著會議召開的延後，相關技術細節的公布也將延遲。
英特爾預計 2023 年推出 5 奈米 GAA 製程，力拚台積電 3 奈米製程 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2020 年 03 月 11 日 19:00 |
|
大家應該還記憶猶新的是，之前處理器龍頭英特爾（intel）財務長 George Davis 在公開場合表示，除了現在 10 奈米產能正在加速之外，英特爾還將恢復製程技術領先的關鍵部分寄望在未來更先進製程的發展上，包括英特爾將在 2021 年推出 7 奈米製程技術，並且將在 7 奈米製程的基礎上發展出 5 奈米製程。對於英特爾 5 奈米製程的發展，現在有外媒表示，在這個節點上英特爾將會放棄 FinFET 電晶體，轉向 GAA 電晶體。
