南韓媒體表示，南韓三星計劃 3 年內建立 GAAFET 技術 3 奈米節點 ，成為晶圓代工業界的遊戲規則破壞者，追上全球晶圓代工龍頭台積電。
力拚台積電押寶 3 奈米 GAAFET 技術，三星 3 年內良率成關鍵 |
作者
Atkinson|發布日期
2022 年 06 月 20 日 14:45 |
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Tag Archives: FinFET
應材推出運用 EUV 延展 2D 微縮與 3D 閘極全環電晶體技術 |
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作者
Atkinson|發布日期
2022 年 04 月 25 日 14:15 |
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美商應材公司今日表示，策略是成為「PPACt 推動公司」 (PPACt enablement company)。因此，新發表七項創新技術，其目的就是要協助客戶運用 EUV 以持續進行 2D 微縮。新一代 GAA 電晶體的製造方式與當前的 FinFET 電晶體有所不同，以及應材備妥為 GAA 的製造提供業界最完整的產品組合，包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案 (Integrated Materials SolutionsTM) 的情況下，藉此產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。
能降低 85% 的能耗，IBM 和三星的新晶片設計為什麼這麼厲害？ |
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作者
雷峰網|發布日期
2021 年 12 月 18 日 11:00 |
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IBM 和三星在半導體設計上再取得新進展！據兩家公司稱，他們研發出一種在晶片上垂直堆疊電晶體的新設計。而在之前的設計中，電晶體是被平放在半導體表面上的。 繼續閱讀..
5 到 3 奈米先進製程競爭，將是台積電與三星後續發展關鍵 |
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作者
Atkinson|發布日期
2020 年 04 月 30 日 15:50 |
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29 日，南韓三星發布 2020 年第 1 季財報，雖然營收達到 55.3 兆韓圜，較 2019 年同期增加 5.61%，營業利益也較 2019 年增加 3.15%，金額達到 6.4 兆韓圜，不過，其中的晶圓代工業務獲利些許下滑，顯示三星在晶圓代工業務上與台積電的競爭逐漸擴大。對此，三星就表示，2020 年第 2 季將加強採用極紫外光刻 (EUV) 的競爭優勢，開始量產 5 奈米製程之外，還將更專注 3 奈米於 GAA 製程的研發工作，藉以達到 2030 年成為非記憶體的系統半導體龍頭目標。
