三星上半年量產首代 3 奈米 GAA 技術製程，第二代製程研發中
作者 | 發布日期 2022 年 02 月 09 日 11:45 | 分類 IC 設計 , Samsung , 晶圓 line share Linkedin share follow us in feedly line share
三星上半年量產首代 3 奈米 GAA 技術製程，第二代製程研發中


南韓三星發表最新財報時也宣布，計劃 2022 下半年商業化生產全球首創的閘極全環電晶體（Gate-All-Around，GAA）技術晶片。新製程技術與代工龍頭台積電 5 奈米節點鰭式場效電晶體 (FinFET) 技術相比，有電晶體密度的優勢。

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