三星上半年量產首代 3 奈米 GAA 技術製程,第二代製程研發中 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 02 月 09 日 11:45 | 分類 IC 設計 , Samsung , 晶圓 | edit 南韓三星發表最新財報時也宣布,計劃 2022 下半年商業化生產全球首創的閘極全環電晶體(Gate-All-Around,GAA)技術晶片。新製程技術與代工龍頭台積電 5 奈米節點鰭式場效電晶體 (FinFET) 技術相比,有電晶體密度的優勢。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 2 奈米 , 3 奈米 , FinFET , GAA , 三星 , 台積電 , 晶圓代工