台積電與三星的 GAA 製程技術之爭,由製程延伸到專利

作者 | 發布日期 2021 年 07 月 19 日 16:45 | 分類 Samsung , 晶片 , 處理器 Telegram share ! follow us in feedly


日前晶圓代工廠南韓三星宣布,3 奈米閘極全環電晶體(Gate-all-around,GAA)製程成功流片,晶圓代工龍頭台積電也預計 2 奈米採用 GAA 製程技術,現在兩家全球製程最先進的晶圓代工廠,不僅要比技術力,還將把競爭範圍擴及專利。

南韓媒體《BusinessKorea》報導,台積電與三星陸續宣布導入 GAA 製程後,南韓知識產權局日前宣布,近來與 GAA 製程相關專利數量快速增加。半導體主流的鰭式場效電晶體 (Fin Field-Effect Transistor,FinFET) 製程專利申請 2017 年達巔峰 1,936 件,到 2020 年,申請數量下滑到 1,503 件。但 GAA 製程專利申請由 2017 年 173 件,到 2020 年增加一倍達 381 件。

廠商申請 GAA 製程專利數量,台積電佔 31.4%,其次是三星 20.6%,第三為 IBM 10.2%,格羅方德以 5.5% 排名第四。可看出台積電 GAA 製程專利數量較其他廠商多。

三星先前說法,相較 5 奈米製程,3 奈米 GAA 製程邏輯晶片面積微縮可達 35%,功耗也降低 50%,運算效能提高約 30%,可為更多應用提供更強大的運算效能。

(首圖來源:三星)