摩爾定律將延續，imec 制定 1 奈米以下製程技術與晶片設計路徑

外媒《eeNews》報導，比利時微電子研究中心（imec）執行長 Luc van den Hove 日前在 Futures conference 大會表示，相信摩爾定律 (Moore′s law) 不會終結，但要很多方面共同貢獻。imec 就提出 1 奈米以下至 2 埃米（A2）半導體製程技術和晶片設計路徑，延續摩爾定律。

Luc van den Hove 提到幾代器件架構，從 FinFET 器件到插板和原子通道器件，以及新材料和 ASML 的 High-NA 曝光機導入都要很多年，正在安裝 High-NA 曝光機原型設備，2024 年投入商用。相信曝光工具將把摩爾定律擴展到 1 奈米節點以下。

Luc van den Hove 強調，為了邁向更先進製程，需開發新器件架構及推動標準單元微縮。FinFET 成為從 10 奈米到 3 奈米主流技術基礎，從 2 奈米開始，奈米片堆疊而成的 GAA 架構是最有可能的概念。imec 開發的 Forksheet 架構，可用屏障材料將 N 和 P 通道更緊密連接，是種將柵極擴展到超過 1 奈米製程的選擇。接下來可把 N 和 P 通道放在一起擴大規模，已開發了第一版。

使用鎢或鉬新材料，為 2028 年 1 奈米（A10）製程和 2034 年 4 埃米（A4）製程、2036 年 2 埃米（A2）製程結構製造相當於幾個原子長度的柵極。同時互聯性能也需改善，有趣選擇是將電力輸送到晶圓背面，為前端互連留下更多設計靈活性。所有新材料與技術預計導致 15~20 年內規模晶片製造擴大。

Luc van den Hove 指出，未來系統晶片設備將使用 TSV 和微凸點技術 3D 堆疊晶片，並使用不同製程完成不同任務，使多 3D 晶片需連接一個矽仲介層。imec 一直在開發技術，且技術逐漸被業界採用。

(首圖來源：台積電)