應材推出運用 EUV 延展 2D 微縮與 3D 閘極全環電晶體技術

美商應材公司今日表示，策略是成為「PPACt 推動公司」 (PPACt enablement company)。因此，新發表七項創新技術，其目的就是要協助客戶運用 EUV 以持續進行 2D 微縮。新一代 GAA 電晶體的製造方式與當前的 FinFET 電晶體有所不同，以及應材備妥為 GAA 的製造提供業界最完整的產品組合，包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案 (Integrated Materials SolutionsTM) 的情況下，藉此產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。