三星與輝達聯手開發鐵電 NAND，AI 模型讓分析速度快萬倍

三星電子與輝達（NVIDIA）攜手加速下一代 NAND 開發，利用人工智慧技術顯著提升鐵電 NAND 分析速度。根據最新消息，三星電子正在與 NVIDIA 合作，加速開發利用鐵電材料的超低功耗 NAND 快閃記憶體。這項合作旨在透過前瞻性技術獲取，鞏固兩家公司在全球人工智慧半導體市場的領導地位。

3月12日，業界消息指出，三星電子半導體研究所、NVIDIA及美國喬治亞理工學院的聯合研究團隊，開發出一種名為「物理知識神經運算子」（PINO）的模型，能夠以傳統方法的10,000倍速度分析基於鐵電材料的NAND裝置性能，並已向全球發布研究成果。鐵電材料是一種新型材料，能在不需要電力輸入的情況下保持極化，這使得其在NAND記憶體裝置中的應用研究變得活躍，因為它們能以極低的功耗高效儲存資訊。

為了商業化鐵電NAND，後續研究需要透過電腦模擬精確分析和改善材料特性，如閾值電壓和數據保持能力。傳統的半導體行業分析工具「科技電腦輔助設計」（TCAD）每項任務通常需要60小時，限制了研究的進度；而三星與NVIDIA的研究團隊成功將任務時間縮短至10秒以內，這得益於基於物理法則訓練的人工智慧。

基於這些研究成果，三星電子將與其最大的記憶體客戶NVIDIA共同開展鐵電NAND的開發與商業化，未來動向備受關注。去年底，三星電子開發出能將功耗降低96%的鐵電NAND技術，並在國際學術期刊《Nature》上發表相關研究，這標誌著半導體行業的一次重大創新。根據韓國智慧財產權局的數據，韓國在全球鐵電專利份額中排名第一，三星電子占據27.8%的市占率。

（首圖來源：shutterstock）