SK 海力士研發支出年增 35% 達 6.7 兆韓圜，搶攻 AI 時代 HBM 商機

在 2025 年，SK 海力士（SK hynix Inc.）投入了 6.7 兆韓圜（約合 44 億美元）於研究與開發（R&D）項目，這個數字顯示出該公司在高頻寬記憶體（HBM）產品需求激增的背景下，對未來技術需求的信心。根據公司在金融監管服務系統上發布的報告，這一投資較 2024 年的 4.9 兆韓圜增長了 35%。

SK hynix的這一大幅度支出反映了其在全球人工智慧（AI）基礎設施市場中保持領先地位的積極推進。2025年，該公司創下了47.2兆韓圜的年度營業利潤，首次超越了競爭對手三星電子，這個數字是2024年的兩倍多。與此同時，三星電子在2025年的R&D支出達到創紀錄的37.7兆韓圜。

隨著AI技術的迅速普及，HBM已成為資料中心和AI應用的關鍵組件，這一需求的激增使得SK hynix在HBM市場中面臨來自三星和美光等主要競爭者的激烈競爭。業內消息指出，SK hynix被選中供應Nvidia公司的Vera Rubin AI平台所需的約三分之二的HBM4晶片，儘管三星電子在2026年2月啟動了全球首批商業出貨的HBM4。

SK hynix的R&D投資不僅顯示了其對技術領導地位的承諾，還為其在不斷增長的AI基礎設施市場中爭取市占率奠定了基礎。隨著全球對先進記憶體解決方案的需求不斷上升，主要半導體製造商正在優先考慮HBM的生產，以滿足數據中心的需求。這個趨勢與全球AI基礎設施的建設相一致，競爭也在加劇，使得R&D投資變得至關重要。