根據韓媒《Etnews》報導，三星電子正加快 NAND Flash 先進製程布局，已完成中國西安工廠第一階段製程轉換，將原有 128 層產品全面升級為 236 層第 8 代 NAND（V8），並正式進入量產。同時，公司亦規劃於今年內導入 286 層第 9 代 NAND（V9），持續強化競爭力。
據業界消息，西安工廠自 2024 年啟動製程轉換，目前已全面結束 128 層第 6 代（V6）產品生產，正式邁入 200 層以上 NAND 世代。由於 NAND 採 3D 堆疊結構，層數越高代表儲存密度與容量同步提升，236 層量產也意味著單位晶片的儲存能力與成本結構進一步優化。
在競爭方面，中國最大 NAND 廠長江存儲已推進至 294 層量產，使 100 層級產品逐漸失去競爭優勢。業界認為，三星加速推動製程轉換，亦與美中科技限制有關，在先進設備取得不確定性升高的情況下，提前完成產線升級以確保技術領先。
此外，隨著 AI 基礎設施投資擴大，高階儲存需求持續成長，特別是企業級 SSD（eSSD）對高性能 NAND 的依賴進一步提升。三星也計畫將西安第二工廠（X2）導入 286 層 V9 製程，全面強化次世代產品產能布局。
西安工廠目前約占三星 NAND 總產量的 40%。隨著 V8 與 V9 產能持續擴大，先進製程比重將進一步提升。業界亦預期，三星將加速推進 400 層以上第 10 代 NAND（V10）開發，目前已在韓國平澤廠布局 V9 量產，並同步展開 V10 技術準備。
（首圖來源：shutterstock）
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