AI 資料中心供電架構持續升級，除了 800 V 高壓直流（HVDC）逐漸成為新一代供電方向外，高耐壓功率模組需求也快速增加。英飛凌推出搭載 .XT 技術的新一代 CoolSiC MOSFET EasyPACK 功率模組，瞄準 AI 資料中心與高壓配電市場。
隨著 AI 機櫃功率持續提升，資料中心供電架構逐步由傳統交流配電走向 800 V HVDC，高壓配電與電力轉換技術的重要性同步提高。其中，固態變壓器（SST）可處理資料中心前端的中壓交流電，並轉換為設備所需的直流電，降低傳統多級電力轉換造成的損耗，也帶動高耐壓功率模組需求增加。
英飛凌表示，此次推出的新一代 EasyPACK 平台，維持與既有產品相同的外型尺寸及接腳配置，可直接沿用既有系統設計，但重新設計封裝材料、接合技術及散熱結構，大幅提升封裝可靠度。新平台可將功率循環（Power Cycling）能力提升超過 20 倍，以滿足 AI 資料中心設備長時間運作，以及 15 至 20 年系統使用壽命需求。
業界人士指出，由於過去碳化矽（SiC）MOSFET 具備較高功率密度與操作溫度，運作過程也會對封裝材料及晶片接合處形成更大的熱應力。隨著元件反覆開關與溫度升降，模組內部的接合結構可能逐漸疲勞，因此封裝可靠度已成為影響功率模組壽命的重要因素。
英飛凌此次透過 .XT 技術強化材料、接合及散熱設計，讓模組更適合用於 AI 資料中心、SST 及高壓配電等需長時間連續運作的應用。
目前英飛凌已推出 1200 V EasyPACK .XT 功率模組，並規劃進一步推出 2300 V 與 3300 V 產品，鎖定更高電壓的 SST 應用。由於 AI 資料中心前端配電需處理 10.8 kV 至 34.5 kV 的中壓交流電，並透過 SST 等電力轉換設備降壓為 800 V 直流電，採用較高耐壓的功率模組，可減少系統內功率元件的串聯數量，降低控制及同步開關的複雜度，也有助於提升整體可靠度與系統穩定性。
功率半導體需求有望增加。業界人士指出，AI 資料中心除了需要處理高電壓，也面臨高功率與大電流需求，功率模組仍須透過多顆晶片並聯提供足夠輸出能力。因此，即使耐壓提升後可減少串聯元件數量，整體晶片面積及功率半導體用量未必明顯下降，反而增加。
隨著 AI 機櫃功率持續朝 MW 級發展，高壓供電架構已成為資料中心的重要發展方向，也帶動功率模組朝更高耐壓、更高可靠度及更長使用壽命演進。包括輝達、台達電及功率半導體廠商，皆積極投入下一代 AI 電力架構與相關模組規格開發，未來市場競爭也將從轉換效率，進一步延伸至封裝可靠度、高耐壓能力及長期運作穩定性。
（首圖來源：Infineon）
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