DRAM / NAND 明年短缺、外資喊買 美光躍 14 個月高

華爾街分析人士相信，拜人工智慧對記憶體需求大增之賜，DRAM、NAND 型快閃記憶體在 2026 年都會轉而陷入短缺，消息傳來帶動美光（Micron Technology）股價跳高。

Seeking Alpha報導，花旗9日發表研究報告指出，預測2026年DRAM、NAND型快閃記憶體的供需比分別會來到-1.8%、-4.0%。

報告稱，AI需求將從訓練轉向推論及邊緣AI裝置，進而驅動通用伺服器的記憶體需求，而行動DRAM、高頻寬記憶體（HBM）、高密度NAND型快閃記憶體（例如QLC eSSD）的需求也會水漲船高。

雖然傳統記憶體的需求也漸增，但供應商仍持續優先投資HBM、犧牲傳統記憶體。有鑑於此，花旗預測2026年整體記憶體市場供需將收緊、進而推升價格。

花旗因此重申美光、SanDisk、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）的投資評等為「買進」。

花旗預測，2026年DRAM的供給、需求將分別年增17.5%、20.1%，NAND型快閃記憶體供給將年增16.5%、但需求會跳增21.4%。

另外，花旗預測2026年晶圓廠設備（wafer-fab equipment）支出將年增11.1%，主因記憶體供應商很可能會持續優先投資HBM而非傳統記憶體。這意味著，DRAM相關資本支出將年增12.2%，NAND型快閃記憶體相關資本支出將年增9%。

美光9日終場上漲2.88%、收135.24美元，創2024年7月10日以來收盤新高，在費城半導體指數30支成分股中漲幅僅次於超微（AMD）。年初迄今，美光漲幅已多達60.69%。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：美光）