ASML 擬升級 EUV 光源至 1,000W，晶圓產能有望提升 50%

綜合外電報導，荷蘭半導體設備大廠 ASML 傳出在極紫外光（EUV）技術上取得關鍵進展，規劃將光源功率由 600W 提升至 1,000W。若新方案順利導入，晶圓產能有望提升約 50%，且無需額外擴建無塵室或新增整套機台。

根據報導，當 EUV 光源提升至 1,000W 後，晶圓掃描產出可由每小時 220 片提升至 330 片，單位產出成本則維持不變。換言之，在既有產線架構與空間條件下，僅透過設備升級即可實現約五成的產出成長，將直接改善晶圓廠的營運效率與資本支出配置結構。

ASML 技術主管 Michael Purvis 表示，這套 1,000W 光源系統並非短時間實驗成果，而是在符合客戶量產環境所有條件下，能穩定運作的完整解決方案。他強調，該技術已達可實際部署標準，而非僅止於實驗展示。

在導入策略方面，ASML 過去曾向客戶提供「生產力強化套件」（Productivity Enhancement Packages，PEP），讓機台可在不更換整機的前提下進行升級。不過，早期 NXE:3400C/D 機型曾因熱負載上限而面臨技術瓶頸，後續才逐步導入更高功率光源。因此，市場推測此次升級方案將優先鎖定較新的 NXE:3800E 系列，以及 High-NA EUV 機型 EXE:5000 與 EXE:5200。

至於競爭對手，儘管中國積極推動自主半導體設備研發，美國新創 Substrate 亦嘗試以粒子加速器產生更短波長 X 光的技術路線切入市場，並宣稱成本具優勢，但在量產級 EUV 曝光領域，ASML 目前仍維持主導地位。

不過，光源功率提升同時也帶來工程層面的新挑戰，包括更高的用電需求、散熱能力提升，以及氫氣流量與穩定度控制等問題。晶圓廠在評估升級效益之際，亦須同步檢視既有基礎設施是否足以支撐更高功率運作條件。

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（首圖來源：ASML）