英特爾本週啟動在美國加州聖塔克拉拉(Santa Clara)Bowers 園區的擴建計畫,目的是在美提升光罩產能。該公司計畫在園區新建一座製造工廠與一座新的公用設施建築,以強化該園區作為英特爾光罩關鍵生產據點的地位。 繼續閱讀..
英特爾擴建在美光罩產能,強化 18A、High-NA EUV 先進製程布局 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2026 年 07 月 03 日 15:00 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 |
半導體製程 EUV 王朝難撼動,Canon 力推奈米壓印都推不倒 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 11 月 04 日 12:30 | 分類 半導體 , 材料、設備 | edit |
在半導體製造的最前線,曝光微影技術一直是決定晶片性能與製程節點演進的關鍵瓶頸。荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML) 憑藉深紫外光(DUV)與極紫外光(EUV)兔光機,建立起幾乎無可撼動的市場地位。然而,日本光學大廠佳能(Canon)正嘗試以另一條路徑突圍,那就是奈米壓印 (Nanoimprint Lithography,NIL)。這項被視為「非光學」的新型圖案轉印技術,正被佳能定位為下一代晶片製程的潛在顛覆者。
