美伊戰爭衝擊半導體大宗氣體快沒氣,台灣為何比韓國更具供應韌性?

作者 | 發布日期 2026 年 03 月 19 日 15:00 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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美伊戰爭衝擊半導體大宗氣體快沒氣,台灣為何比韓國更具供應韌性?

美伊戰爭爆發,因為伊朗封鎖荷莫茲海峽的緣故,導致所有油輪無法進出該區。石油供應因此短缺,進一步推升國際油價,並引發全球通膨的疑慮。而除了石油受到衝擊之外,全球半導體大宗氣體生產也有產品產自於中東地區。所以,在半導體產業是台灣重度仰賴經濟命脈的情況下,戰爭是否衝擊大宗氣體(Bulk Gases)的供應,進一步衝擊國內半導體產業就成為市場所關心的話題。

在半導體製程中所需要用到的氣體分為大宗氣體與特殊氣體兩類,其中大宗氣體被視為晶圓廠的「血液」。它們雖然不像特種氣體(Specialty Gases)那樣具有高度反應活性,但消耗量極大,且對純度的要求通常需達到 9N(99.9999999%) 以上,以確保半導體製程的良率。

目前半導體製造中主要的大宗氣體包括:

氮氣 (N2) 用量最大的「守護者」,氮氣在半導體廠的總氣體消耗量中占比超過 60%。主要用途為吹掃反應爐、傳輸管道與儲存晶圓的 FOUP(晶圓載具),防止元件接觸氧氣而氧化。另外,排放製程廢氣前,用氮氣稀釋有毒或易燃氣體,降低危險。至於,液態氮也常用於需要極低溫環境的設備冷卻。

氫氣 (H2) 在先進製程中的地位日益重要,主要還原反應,在高溫退火(Annealing)製程中,用來去除晶圓表面的氧化物。還有 EUV 光源維護,也就是在極紫外光(EUV)微影設備中,氫氣用於清潔反射鏡上的錫沉積,是維持曝光機運作的關鍵。另外,在磊晶生長(Epitaxy) 中作為載氣,輔助矽化物的沉積。

氬氣 (Ar) 用於電漿與乾蝕刻的媒介。由於氬氣是一種極其穩定的惰性氣體,主要應用於物理反應。其中包括電漿產生,也就是在濺鍍(PVD)與離子佈植製程中,氬氣被電離成電漿,撞擊靶材或清理晶圓表面。還有隔熱與保護,在高溫矽晶圓拉晶過程中,作為保護氣氛防止石墨零件被侵蝕。

氧氣 (O2) 是氧化層的構建者。在熱氧化(Thermal Oxidation)過程中,氧氣在晶圓表面生長二氧化矽(SiO2)絕緣層。在電漿去膠(Ashing)過程中,利用氧電漿將光阻劑(Photoresist)碳化並清除。

氦氣 (He) 則是卓越的導熱介質由於氦氣分子極小且導熱性能極佳。在半導體製程中是背面冷卻(Backside Cooling)。例如在蝕刻製程中,氦氣被充入晶圓背面與載台之間,快速導走製程產生的熱量,防止晶圓過熱變形。另外,還利用氦氣分子小的特性,檢測真空系統是否有微小洩漏。

目前,在大宗氣體中,卡達占全球產量約三分之一,但當地天然氣重鎮拉斯拉凡工業城(Ras Laffan Industrial City)遭伊朗攻擊,氦氣生產受到干擾。氦氣諮詢公司Kornbluth Helium Consulting表示,若荷莫茲海峽持續封閉,全球逾四分之一氦氣難逃斷供命運。

媒體報導,以市調公司IndexBox的分析,若氦氣供應中斷30天,價格可能上漲10%至20%,若停供60至90天,則漲幅恐達25%至50%。這也是美伊戰爭造成全球半導體供應鏈緊張的原因。不過,根據國內供應鏈廠商的說法,以目前卡達生產的大宗氣體──氦氣來說,一旦真的供應緊俏,受到影響的嚴重程度,半導體產業競爭對手韓國將會比台灣來得嚴重。

至於,韓國半導體產業受創會比台灣嚴重的主因,在於韓國目前氦氣供應90%都來自於卡達。相較於台灣,在過去分散採購的帶動下,原本來自中東卡達的氦氣僅占總量的30%,另外美國方面也占了30%的比例,剩下的來自其他地方與中國生產產品。一旦中東的供應出現狀況,台灣能比較容易調整其他的供應來源,相較之下韓國就會形成供應緊張的情況。

事實上,一場發源於中東的軍事衝突,已透過全球化的能源與原物料供應鏈,精準地打擊了現代科技的軟肋。從卡達天然氣工廠遇襲停產、全球氦氣價格翻倍,到韓國半導體雙雄因氦氣短缺而造成市值慘摔六兆韓圜的情況,無不顯示出全球半導體產業對關鍵原料的高度依賴。台積電等台灣科技大廠即便當前暫時不受影響。但是未來能否順利度過這場史無前例的「氦氣危機」,不僅考驗著企業的供應鏈韌性與風險控管能力,更與瞬息萬變的國際地緣政治局勢緊密相連。

(首圖來源:TSMC)

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