大摩：SEMICON China 再證中國半導體擴產不停，本土設備迎長線成長

美系外資摩根士丹利（大摩）在最新報告中指出，2026 年 SEMICON China 再度印證，中國的半導體產能擴張及國產設備替代進程仍按計畫推進。

首先在記憶體部分，長江存儲與長鑫存儲持續推進產能擴張計畫，在設備進口周期與技術升級加速下，帶動對本土晶圓製造設備（WFE）供應商的長期需求。

大摩指出，兩間公司均各自規劃建設一座月產 10 萬片晶圓晶圓廠，分別為長江存儲 Fab 3 與長鑫存儲上海廠，相關設備採購預計在約 18 個月內完成。其中，長江存儲預期今年完成 Fab 2 的量產爬坡，並計畫於下半年啟動 Fab 3 的設備進場；長鑫存儲 2026 年訂單動能更為強勁，產能擴張主要聚焦於 DDR5。

大摩指出，隨著 3D NAND 層數提升、DDR4 過渡至 DDR5，對單位晶圓所需設備價值顯著提高，進一步支撐本土設備廠的營收成長。目前預期 2026 年長江存儲將新增 2.5 萬片產能，而長鑫存儲則將新增 6 萬片產能。

在先進邏輯製程部分，產能擴張動能同樣強勁。大摩指出，根據 SEMICON China 現場觀察，除中芯南方（SMIC South）之外，已有多座晶圓廠投入先進製程節點的擴產。此外，在研發資源共享與人才流動的推動下，多重曝光（multi-patterning）技術可能不再僅限於中芯南方。目前預期中芯國際 N+2 製程節點產能 2026 年將達到每月 4 萬片晶圓（wpm），並於 2027 年進一步擴張。

在這次展會中，中國本土半導體設備廠展現多項具意義的產品突破。中微半導體推出多款新產品，包括針對 3D 記憶體的高選擇比蝕刻設備，以及一款已進入客戶端現場驗證階段的 ICP 蝕刻機；北方華創、拓荊科技（Piotech）等國內領先的薄膜沉積設備廠商，在 PVD 與 PECVD 設備上取得量產突破，隨著來自 3D NAND 與 DRAM 晶圓廠的訂單增加，同時在先進封裝後段設備的技術驗證與量產出貨方面也有所進展。