美國俄勒岡州立大學(Oregon State University)研究團隊近日開發出一款仿腦光感測記憶元件,將光感測、記憶與訊號處理整合到單一光電電晶體中,盼望降低未來 AI 硬體的耗能。研究已刊登於期刊《先進功能材料》(Advanced Functional Materials) Advanced Functional Materials)。核心概念是把部分運算直接移到感測器端,減少資料在感測、記憶與處理單元之間來回搬移所造成的能源損耗。
這款元件採用雙材料結構:由氧化物半導體形成電晶體通道,上方則覆蓋感光有機層。當光線照射時,部分電荷會被困在有機層內;即使光源消失,被困的電荷仍會持續影響通道電流,使元件保留對先前光訊號的「記憶」。研究團隊進一步發現,透過施加微小的閘電壓,可以改變被困電荷相對於通道的位置:當電荷移近通道時,影響變強、記憶持續時間延長;當電荷移遠時,影響變弱、記憶較快淡去,形成功能上可程式化的記憶壽命(programmable memory lifetime)。
計畫主持人、俄勒岡州立大學電機與資訊工程教授 Larry Cheng 表示,這項光電元件可望讓資訊在感測器端就地處理,為更有效率的運算提供新硬體能力。研究人員認為,這種設計特別適合神經形態運算與感測端運算,未來可應用於 AI 視覺系統、機器人、無人機、監視攝影機與自律系統等邊緣裝置,讓硬體能依需求保留、加權或快速捨棄不同時間尺度的視覺資訊。
不過,這項成果目前仍停留在元件層級,尚非現成可替換現有 AI 加速器或影像感測器的產品。研究團隊指出,若未來能成功擴大應用,這類設計有望讓 AI 裝置更快、更小,也更省電,尤其是在最重視能效的邊緣運算場景中。
(首圖來源:俄勒岡州立大學)






