從資本支出來看,DRAM方面,近年來其整體資本支出對營收占比(以下稱CAPEX to sales ratio)逐漸升高有兩大原因,首先,由於DRAM的製程微縮已經逐漸面臨物理極限,在20nm製程以後,除了美光(Micron)1alpha nm仍造就有近30%的單晶圓位元成長外,其他從1Xnm轉至1Ynm、或者1Ynm轉至1Znm製程,成長已經收斂至15%以內。2022年三星(Samsung)與SK海力士(SK hynix)的最先進製程將正式導入關鍵機台EUV,而該機台的生產交期長且造價高昂,使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出,以因應EUV的前置訂單。
其次,由於DRAM已形成寡占市場型態,即便偶爾出現均價下跌週期,也因為供應商的生產秩序形成,銷售均價難以跌破總生產成本(fully loaded cost),故DRAM原廠能夠逐漸累積來自該產品的生產獲利。由於製程轉進不易,除三大原廠以外,市占較小的南亞科(Nanya Tech)、華邦(Winbond)等廠商皆有實際擴產計畫,成為DRAM 市場CAPEX to sales ratio持續升高的另一大原因。
NAND Flash方面,其CAPEX to sales ratio自2017年轉進3D NAND技術以來即有顯著提升,該年之前平均達25~30%,目前提升到平均近40%。主因是隨著3D堆疊層數的上升,除了拉長產品生產所需時間,對於蝕刻難度、精準度的要求也一併提升,主流層數正朝向1YY層世代邁進,供應商同時開始研發2XX層產品技術,對於單次蝕刻深度的要求不斷增加,顯示出該產業所需的資本支出總額隨著層數提升、產值增加而持續成長。
TrendForce表示,由於NAND Flash堆疊層數的技術推進,未來供應商仍將持續追求推進更高層數,以降低每GB的生產成本。因此,預期該產業的資本支出仍有增長空間,且CAPEX to sales ratio將維持在接近40%或以上。值得注意的是,若未來數年產值無法跟進支出的成長速度,恐將造成CAPEX to sales ratio過度上升,進而壓抑供應商獲利能力。