兆易創新朱一明辭任執行長，改接合肥長鑫執行長衝 DRAM 量產 |
作者
Atkinson|發布日期
2018 年 07 月 18 日 17:00 |
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根據中國媒體報導，全力發展記憶體產業的中國企業，近期又開始有新產品投入量產。那就是合肥長鑫日前宣布已經開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體。巧的是，就在合肥長鑫宣布開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體之後，兆易創新的董事長兼執行長的朱一明，也隨即在 7 月 16 日宣布辭去兆易創新執行長職務，由合肥長鑫原執行長王寧國的手中，正式接任合肥長鑫存儲及睿力執行長，顯示中國對發展記憶體產業的重視，並希望借助朱一明的經驗，來打造中國記憶體產業版圖。
2022 年中國記憶體生產僅影響南韓 78 億美元，仍難撼動三星、SK Hynix 地位 |
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作者
Atkinson|發布日期
2018 年 05 月 14 日 16:00 |
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當前，不論 DRAM 還是 NAND Flash 等記憶體，中國市場基本上 100% 依賴進口，這使得其產業發展需求也最為迫切。因此，現階段在中國政府的支持下，除了紫光集團旗下的長江存儲已經在武漢建設 NAND Flash 工廠，預計 2018 年下半年量產之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行 DRAM 研發，這使得未來幾年，中國生產記憶體就會逐漸進入市場。對此，南韓企業也開始關注中國競爭對手的加入。南韓預測，在 2022 年時會因為中國競爭的影響，南韓企業將減少 78 億美元的記憶體的銷售金額。
前台灣美光員工竊取機密跳槽聯電，檢察官認定違法將其起訴 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 09 月 06 日 19:15 |
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2017 年 2 月份期間，台灣美光大動作透過司法途徑，針對從美光購併華亞科後的員工，以及前瑞晶員工展開搜索調查，並限制相關人員出境，估計有上百人遭到約談及搜索的狀況，如今已有確切結果。該案係因兩名台灣美光的離職員工，涉嫌攜帶晶圓製程相關機密檔案跳槽聯華電子，並且未來將運用於中國晉華公司，協助其 32 奈米 DRAM 相關製程技術開發。6 日台中地檢署依妨害《營業祕密法》為由，將涉嫌的 2 人及指使的聯電主管，以及聯電公司一併起訴。
合肥長鑫斥資 72 億美元建 12 吋廠，預計 2018 年每月量產 12.5 萬片 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 05 月 25 日 18:08 |
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根據中國媒體報導，當前中國半導體產業積極發展記憶體產品，再加上政府資金與政策的扶持下，包括紫光集團旗下的長江存儲科技、福建晉華集團，以及合肥市政府所支持的合肥長鑫等三股勢力都在積極爭取主導權。日前，由合肥市政府支持的合肥長鑫公司宣佈，預計由合肥長鑫投資 72 億美元（約新台幣 2,166.46 億元），興建 12 吋晶圓廠以發展 DRAM 產品，未來完成後，預計最大月產將高達 12.5 萬片規模。
