Tag Archives: 二硫化鎢

6 吋晶圓 100% 覆蓋單層二維材料,台灣團隊突破大面積連續膜難關

作者 |發布日期 2026 年 07 月 07 日 15:58 | 分類 半導體 , 尖端科技 , 晶圓

全球半導體產業競相邁入原子級尺度,二維材料被視為延續摩爾定律的關鍵解方,國研院國儀中心攜手陽明交通大學、日本東京大學、國研院半導體中心,共同突破傳統二維半導體製程限制,成功實現 6 吋晶圓單層材料二硫化鎢 100% 全覆蓋連續膜,為先進邏輯元件、光電元件導入二維材料邁出關鍵一步。 繼續閱讀..

扭曲的二維材料表現出意想不到電子行為,違反理論預測

作者 |發布日期 2024 年 12 月 31 日 16:46 | 分類 尖端科技 , 材料

僅單一原子層厚度的二維材料因獨特物理和化學性質備受關注,過去研究已知若將 2 片二維材料以特定角度相疊,可能會誘發超導等新特性,但最近荷蘭格羅寧根大學材料科學家 Antonija Grubišić-Čabo 團隊研究了堆疊的二硫化鎢材料片,發現其行為違背理論預測。 繼續閱讀..