針對 2019 年 12 月 31 日南韓三星電子於華城廠區所發生的跳電事件，整體影響到 DRAM、NAND Flash 及 LSI 方面採用 EUV 技術來生產系統半導體的部分，分析機構指出，在跳電時間較短的情況下，雖然影響縮小到可控制的範圍內。但是，其真正的損失數字仍有待三星在進行完產線檢查後進一步公布。不過，相關的市場影響已開始發酵，2 日台股早盤，相關記憶體族群都已有股價表現。
集邦：三星跳電預期衝擊小，惟記憶體類股 2 日早盤開始反映 |
作者
Atkinson|發布日期
2020 年 01 月 02 日 10:15 |
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