根據韓媒 Business Korea 報導，三星今（17 日）宣布，其半導體研發中心研究人員首次在全球實現閘極間距為 42 奈米的 3D 堆疊電晶體結構。該研究近期在日本京都舉行的「2026 VLSI Symposium」中獲選為最佳論文。 繼續閱讀..