來自中國與美國加州大學戴維斯分校的研究人員,最近開發出新的外爾半金屬材料:砷化鈮薄層,測量結果顯示其室溫下導電率約為銅的 3 倍,為新型電子設備鋪路。 繼續閱讀..
半金屬成超高導電新材料,室溫下導電率為銅 3 倍 |
作者 Emma stein|發布日期 2019 年 03 月 20 日 13:35 | 分類 尖端科技 , 會員專區 , 材料 |
半金屬成超高導電新材料,室溫下導電率為銅 3 倍 |
作者 Emma stein|發布日期 2019 年 03 月 20 日 13:35 | 分類 尖端科技 , 會員專區 , 材料 | edit |
來自中國與美國加州大學戴維斯分校的研究人員,最近開發出新的外爾半金屬材料:砷化鈮薄層,測量結果顯示其室溫下導電率約為銅的 3 倍,為新型電子設備鋪路。 繼續閱讀..