韓國科學技術院(KAIST)近期發表一篇長達 371 頁的論文,詳細描繪高頻寬記憶體(HBM)技術至 2038 年的演進路線,涵蓋頻寬、容量、I/O 寬度與熱功耗等面向的成長。該藍圖涵蓋從 HBM4 到 HBM8 的技術發展,包括先進封裝、3D 堆疊、嵌入式 NAND 儲存的記憶體中心架構,以及以機器學習為基礎的功耗控制手法。 繼續閱讀..
HBM 開發藍圖曝光:2038 年 HBM8 架構大不同,採內嵌 NAND、雙面中介層 |
作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 06 月 17 日 18:34 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 |