選擇性沉積、低溫磊晶超關鍵！ASM 全面布局新材料與解方，迎戰 GAA、CFET 難題 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 09 月 19 日 14:45 | 分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備 | edit 隨著台積電 2 奈米預期年底量產，明年（2026 年）下半年正式跨入埃米時代，晶片微縮已達到物理極限，原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱 ALD）成為延續摩爾定律、半導體微縮的關鍵技術之一。對此，《科技新報》特地專訪荷蘭半導體製造設備大廠 ASM 技術副總裁 Glen Wilk，幫助讀者更了解 ALD 在製程微縮的重要性。 繼續閱讀..
