三星電子計劃實現「PB 級」記憶體目標，高層曾預期，V-NAND 在 2030 年疊加千層以上。最新消息指三星考慮用新「鐵電」材料（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。 繼續閱讀..
三星希望透過新鐵電材料，實現超過千層 NAND |
作者
林 妤柔|發布日期
2024 年 05 月 13 日 11:47 |
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