DRAM+NAND 整合架構,SK 海力士推出 HBS 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 11 月 11 日 10:45 | 分類 半導體 , 記憶體 | edit 根據《ET News》報導,SK 海力士正在開發新一代「高頻寬儲存」(High Bandwidth Storage, HBS),透過結合行動 DRAM 與 NAND 快閃記憶體,打造專為行動裝置設計的高效 AI 運算記憶體方案。 繼續閱讀..