DRAM＋NAND 整合架構，SK 海力士推出 HBS

根據《ET News》報導，SK 海力士正在開發新一代「高頻寬儲存」（High Bandwidth Storage, HBS），透過結合行動 DRAM 與 NAND 快閃記憶體，打造專為行動裝置設計的高效 AI 運算記憶體方案。

那麼，什麼是 HBS 呢？簡單來說，它以「低功耗寬 I/O 記憶體」（Low Power Wide I/O, LPWIO DRAM）為基礎，將 DRAM 與 NAND 堆疊封裝，並採用「垂直導線扇出」（Vertical Fan-Out, VFO）技術進行連接。VFO 以垂直直線導線取代傳統曲線鍵合，讓訊號傳輸更短、更快，也減少損耗與延遲。這讓 HBS 在進行語音辨識、影像生成、即時運算等應用時，能大幅提升行動端的 AI 處理效能與能源效率。

那 HBS 和 HBM、HBF 又有什麼不同呢？HBM（高頻寬記憶體）是以 DRAM 堆疊並使用 TSV 製程打造，主要應用於伺服器與 GPU 市場，效能極高但成本昂貴；HBF（高頻寬快閃記憶體）則以 NAND 為核心，鎖定資料中心儲存應用，用來輔助 HBM 處理龐大資料流。相較之下，HBS 專為行動裝置設計，結合 DRAM 與 NAND 的優勢，兼顧低功耗與成本效益。