半導體設備大廠科林研發 Lam Research 宣布,推出 3D NAND Flash 快閃記憶體第三代低溫介質蝕刻 Lam Cyro 3.0,全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示 Lam Cryo 3.0 能實現千層堆疊 3D NAND Flash。
為千層 3D NAND Flash 做準備,科林推新低溫介質蝕刻 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 08 月 02 日 7:00 | 分類 半導體 , 材料、設備 , 記憶體 |



