台灣 IC 設計需持續整併
有台灣「併購天王」稱號的中美晶董事長盧明光昨（6）日表示，半導體產業競爭日趨激烈，特別是台灣 IC 設計業正面臨大陸的強力競爭，還需要持續整併，規模跟力量才夠大、才有辦法應付未來的競爭… 繼續閱讀..

美光晶圓科技意外預估將影響全球 DRAM 產能 5.5%，價格恐進一步攀升
TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示，台灣美光晶圓科技（原華亞科）上週六驚傳氮氣系統意外，其 Fab2 受到污染影響，以目前台灣美光晶圓科技每月投片達 125K 來計算，保守估計損失約… 繼續閱讀..

美光華亞科廠出包，逾半晶圓報廢！DRAM 供貨吃緊雪上加霜？
記憶體缺貨狀況將雪上加霜？已與台灣美光半導體合併的 DRAM 廠華亞科，近日傳出廠房製程所需的氮氣出狀況，造成逾半晶圓報廢，廠房目前仍處停工狀態，接下來 DRAM 供貨恐受影響。根據科技新報取… 繼續閱讀..

眾創眾聯搶佔第三代半導體戰略高地
中國工程院院士、國家新材料產業發展專家諮詢委員會主任干勇在 6 月 25 日舉行的「第三代半導體創新戰略發佈會」上表示，第三代半導體是我國在研發、應用上與發達國家差距較小，甚至有些地方是… 繼續閱讀..

Western Digital 推出業界首創 96 層 3D NAND 技術
儲存技術和解決方案供應商 Western Digital 公司宣布成功開發出 96 層垂直儲存的跨世代 3D NAND 技術 BiCS4，預計 2017 年下半年開始向 OEM 廠商送樣，並於 2018 年開始生產。BiCS4 是由 Western Digital… 繼續閱讀..

尬三星！東芝明年量產 96 層 3D NAND、QLC 產品 8 月送樣
全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體廠東芝(Toshiba)28 日宣布，已攜手 SanDisk 研發出全球首款採用堆疊 96 層製程技術的 3D NAND Flash 產品，且已完成試作、確認基本動作。該款堆疊 96 層的 3D NAND 試作品為… 繼續閱讀..

力晶合肥12吋晶圓廠正式啟用！2018 年 Q2 進入量產逐步拉升產能
晶圓代工廠力晶與中國合肥市政府合資的晶合集成 12 吋晶圓廠，一期廠房正式動土至今不到兩年，28 日宣布竣工並舉行典禮暨試產儀式。目前晶合正進行試產，預計 2018 年第二季進入量產，月產能規模… 繼續閱讀..

缺貨蔓延　DRAM 均價 Q3 再漲 5%
集邦科技（DRAMeXchange）最新研究顯示，進入 6 月下半旬，產業大部分的品牌都積極地議定第 3 季合約價格。由於 DRAM 供貨吃緊狀態仍延續，因而價格仍將持續上揚，預估整體 DRAM 平均銷售單價將上漲… 繼續閱讀..

紫光：未與 Imagination 進行任何談判、股票已出清
英國 GPU IP 大廠 Imagination Technologies Group PLC 連續第 2 個交易日走高，6 月 23 日大漲 18.96%、收 171.0 便士，續創 3 月 31 日以來收盤新高；兩天累計漲幅達 38.5%。英國金融時報報導，Imagination … 繼續閱讀..

NOR Flash 供應不足各廠商積極擴產，第 3 季仍將持續上漲 2 成
受到智慧型手機 AMOLED 的新增需求、觸控 IC 以及驅動 IC 整合單晶片帶動的 NOR Flash 需求，加上全球 NOR Flash 的每月投片約僅約 8.8 萬片，高度客製化與產能不易擴張的影響下，根據全球市場研究調查機構… 繼續閱讀..

東芝宣布優先出售記憶體給日美聯盟，長期產能與技術將可望挑戰三星
TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，東芝 21 日宣布選擇日本投資人與美國私募股權公司貝恩資本聯盟的團隊為優先競購者，目標將在 6 月 28 日的股東會議和上述團隊達成最終協議… 繼續閱讀..

半導體淮陰貢獻譜新篇:淮安德科碼主廠房封頂
6 月 20 日上午，淮安德科碼半導體主廠房封頂暨設計研發中心揭牌儀式在淮安市淮陰區新渡鄉舉行。淮安市政府代市長蔡麗新、副市長顧坤，集成電路材料和零部件産業技術創新戰略聯盟秘書長石瑛… 繼續閱讀..

2017 年下半年 NAND Flash 供貨吃緊，第 4 季缺貨情況更加劇
隨著時序進入下半年的傳統旺季時期，2017 年上半年仍舊處於供需不平衡的 NAND Flash 預計還將會繼續漲價。尤其是暑假期間，學生對於新購機的需求提升，NAND Flash 市場供應還會繼續吃緊，再加上… 繼續閱讀..

東芝矽晶圓協商慢半拍？愛瘋用 3D NAND 傳落後三星2個月
華爾街日報(WSJ)日文版 16 日報導，NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)正迎來 10 年 1 度的需求熱潮，也造成作為原料的矽晶圓供應不足、當前庫存水準已滑落至歷史新低，各家半導體廠商紛紛加快腳步確 繼續閱讀..

三星衝市占，64 層 NAND 快閃記憶體宣布量產
三星電子周四宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 快閃記憶體已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含伺服器、PC 與行動裝置之儲存解決方案。64 層 V-NAND 快閃記憶體用稱為第四代 V-NAND 晶片，韓國… 繼續閱讀..