三星押注次世代記憶體!拚三年量產 V-DRAM 超車 SK 海力士 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 04 月 28 日 16:18 | 分類 Samsung , 記憶體 | edit 三星電子已確定三年內量產次世代記憶體「垂直通道電晶體(VCT)DRAM」藍圖。外界解讀,三星有意比 SK 海力士早一世代量產,以挽回「超級差距」。 繼續閱讀..