Diodes 全新微型電晶體,佔位面積縮減 40%

作者 | 發布日期 2015 年 01 月 29 日 18:40 | 分類 市場動態 , 零組件
DI0777_DFN0606

Diodes 公司(Diodes Incorporated)推出首批採用 DFN0606 封裝的 NPN 電晶體 MMBT3904FZ 和 BC847BFZ,以及 PNP 電晶體 MMBT3906FZ 和 BC857BFZ。新產品的電路板面積僅 0.36mm2,比採用 DFN1006(SOT883)封裝的同類型元件小 40%,並能提供相等甚至更佳的電氣效能。這些元件的離板高度只有 0.4mm,非常適合智慧型手錶、健康和健身設備等穿戴式產品,以及智慧型手機與平板電腦等侷限空間的消費性產品。



Diodes 公司首批 DFN0606 雙極電晶體產品(兩款 NPN 及兩款 PNP 元件)能夠處理高達 830mW 的功耗。其中 40V 額定值的 MMBT3904FZ 及 MMBT3906FZ 可大幅提升功率密度,還提供高達 200mA 的集極電流;45V 額定值的 BC847BFZ 和 BC857BFZ 的集極電流則為 100mA。所有元件都會以少於 1 伏特的底部射極電壓開啟,確保在極低可攜式電源的情況下完全啟動。

(首圖來源:Diodes 網站) 

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