日前傳出全球 DRAM 龍頭廠三星電子恐會在 2016 年、2017 年帶頭砍產能，且減產幅度更將居業界之冠，不過全球第 3 大DRAM 廠美光（Micron Technology）秉持著「逆勢時更應該積極投資」的態度，傳出將豪砸千億日圓在日本量產採用全球最先端技術的 DRAM，擴增產能。
日經新聞 12 日報導，美光計劃於今後 1 年內對日本廣島工廠豪砸 1,000 億日圓資金，導入最新生產設備，量產全球最先端、採用 16nm 製程技術的 DRAM 產品，且目標為在 2016 年上半年確立 16nm DRAM 的量產技術。
報導指出，目前半導體市況雖疲弱，不過美光期望藉由在逆勢時持續進行積極投資，對抗全球龍頭廠三星；美光也於上年度（截至 2015 年 8 月底為止的會計年度）對廣島工廠砸下 1,000 億日圓資金進行增產，故此將為美光連續第 2 年對廣島工廠進行鉅額投資。
據報導，和現行 20nm 製程相比，採用 16nm 製程的每片晶圓可取得的記憶體數量將增加，預估產能將可提高 2-3 成，而待上述廣島工廠確立 16nm DRAM量產技術之後，美光預估也會對位於日本、美國、台灣等地的工廠中的其中一座進行追加增產投資；南韓三星電子目前也量產採用 20nm 製程技術的 DRAM 產品，且也正為量產次世代 DRAM 產品做準備。
根據報導，美光最高營運負責人（CEO）Mark Duncan 接受日經新聞專訪時表示，市況嚴峻的時候，才更應該積極投資確立先進技術；他說，行動裝置需求持續走揚，加上每台智慧手機搭載的記憶體容量變大，故記憶體市場的未來完全不用悲觀。
據報導，美光今年度（截至 2016 年 8 月為止的會計年度）用於設備投資、研發的費用將年增 4 成至 58 億美元，且投資對象主要為 DARM 和 NAND Flash 等兩大記憶體事業。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：Flickr/Matt Kieffer CC BY 2.0）
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