美光傳砸千億擴增日本 DRAM 產能,台灣廠跟進?

作者 | 發布日期 2015 年 10 月 12 日 9:30 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
FLICKR Matt Kieffer

日前傳出全球 DRAM 龍頭廠三星電子恐會在 2016 年、2017 年帶頭砍產能,且減產幅度更將居業界之冠,不過全球第 3 大DRAM 廠美光(Micron Technology)秉持著「逆勢時更應該積極投資」的態度,傳出將豪砸千億日圓在日本量產採用全球最先端技術的 DRAM,擴增產能。




日經新聞 12 日報導,美光計劃於今後 1 年內對日本廣島工廠豪砸 1,000 億日圓資金,導入最新生產設備,量產全球最先端、採用 16nm 製程技術的 DRAM 產品,且目標為在 2016 年上半年確立 16nm DRAM 的量產技術。

報導指出,目前半導體市況雖疲弱,不過美光期望藉由在逆勢時持續進行積極投資,對抗全球龍頭廠三星;美光也於上年度(截至 2015 年 8 月底為止的會計年度)對廣島工廠砸下 1,000 億日圓資金進行增產,故此將為美光連續第 2 年對廣島工廠進行鉅額投資。

據報導,和現行 20nm 製程相比,採用 16nm 製程的每片晶圓可取得的記憶體數量將增加,預估產能將可提高 2-3 成,而待上述廣島工廠確立 16nm DRAM量產技術之後,美光預估也會對位於日本、美國、台灣等地的工廠中的其中一座進行追加增產投資;南韓三星電子目前也量產採用 20nm 製程技術的 DRAM 產品,且也正為量產次世代 DRAM 產品做準備。

根據報導,美光最高營運負責人(CEO)Mark Duncan 接受日經新聞專訪時表示,市況嚴峻的時候,才更應該積極投資確立先進技術;他說,行動裝置需求持續走揚,加上每台智慧手機搭載的記憶體容量變大,故記憶體市場的未來完全不用悲觀。

據報導,美光今年度(截至 2016 年 8 月為止的會計年度)用於設備投資、研發的費用將年增 4 成至 58 億美元,且投資對象主要為 DARM 和 NAND Flash 等兩大記憶體事業。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Matt Kieffer CC BY 2.0)

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