富士通開發 4 Mbit 四線 SPI FRAM,資料傳輸速度高達每秒 54 MB

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 01 日 12:00 | 分類 市場動態 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司 3 月 1 日宣布,富士通成功開發具有 4 Mbit 記憶容量的全新 FRAM(鐵電隨機存取記憶體)(註)產品 MB85RQ4ML,此產品於四線 SPI 介面非揮發性 RAM 市場中擁有最高密度,並開始以樣本量供貨。




MB85RQ4ML 採用單一 1.8V 電源供電,使用具有 4 個 I/O pin 的四線 SPI 介面,並能達到每秒 54 MByte 的資料傳輸速率。

此產品具高速運算能力與非揮發性記憶體特性,因此特別適用於網路建置、RAID 控制器及工業運算等領域。

富士通充分運用 FRAM 的非揮發性、高速讀寫週期、高讀寫耐用度及低功耗特性,為穿戴式市場及物聯網市場帶來使用 FRAM 的免電池解決方案。

為滿足市場對非揮發性 RAM 介面速度提升的迫切需求,富士通目前已成功開發 MB85RQ4ML 4Mbit FRAM,在 FRAM 產品線中擁有最高資料傳輸速度。

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▲ 採用16-pin SOP的MB85RQ4ML。

此產品採用單一 1.8V 電源供應器及四線 SPI 介面,能以 108 MHz 運作頻率達到每秒 54 MB 的資料傳輸速度。相較以往富士通產品中,採用 44-pin TSOP 封裝中,擁有 16-bit 平行介面的 4Mbit FRAM,其傳輸速度最快,為每秒 13 MB,而此全新產品的資料讀寫速度領先前者將近 4 倍之高,且所用腳位更少。

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▲ 資料傳輸率比較。

此產品特別適用於必須持續重寫設定資料的網路設備,如路由器等。其定位介於資料儲存用的高密度非揮發性記憶體與高速作業記憶體之間,並以高速存取及資料備份支援資料重寫。

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▲ 記憶體於網路裝置的使用案例。

仰賴巨量資料處理能力的物聯網市場,隨著資料處理量不斷增加,記憶體亦必須頻繁地執行資料重寫;此外,從安全觀點來看,保留存取紀錄也將更受到重視。有鑑於此,此產品能透過保留網路領域中存取資訊而促進設備效能的改善。

註:
鐵電隨機存取記憶體(FRAM)是一種採用鐵電質薄膜做為電容器以儲存資料的記憶體,即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。FRAM 結合了 ROM 和 RAM 的特性,並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀 / 寫周期的優點。富士通半導體自 1999 年即開始生產 FRAM,亦稱為 FeRAM。
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