武漢新芯將併入紫光集團旗下,掌權之爭由趙偉國出線

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 27 日 14:29 | 分類 晶片 follow us in feedly

先前科技新報獨家揭露,統籌中國記憶體產業發展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作,並有望獲得美光在 NAND Flash 的協助,現在事情再有新進展,根據調研機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 說法,紫光將於武漢成立新企業,未來武漢新芯將併入旗下,據科技新報取得的消息,最終由紫光集團董事長趙偉國將出線掌舵新事業。



朝 NAND Flash 發展前進

調研機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 今 27 日發布消息指出,紫光集團預計於武漢成立長江存儲科技,未來將併入武漢新芯並統籌集團下一切記憶體發展項目,目前整體規劃朝向 NAND Flash 產業發展。

DRAMeXchange 認為,紫光集團與武漢新芯目前將著力於 NAND Flash 發展,除了因 NAND Flash 後市可期, 武漢新芯原為 NOR Flash 大廠,在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設本就有所擅長。DRAMeXchange 協理楊文得進一步分析,紫光集團則在資金募集及策略併購等均有過人之處,透過兩強攜手整合資源,能使中國記憶體產業投資的整體資源配置更加集中,並在整合上產生更多綜效,對內得以於未來中國記憶體產業的發展中瞄準較佳的地位,對外則能提升產業上談判的籌碼,有助於中國建立產業自主性。

根據科技新報先前取得的消息,紫光集團董事長趙偉國、大基金總經理丁文武可能在這之中扮演重要角色,新芯董事長楊士寧等則可能有異動,而目前最新消息,趙偉國確將擔任董事長執掌合體之後的新事業。

飛索半導體之後再攜美光?

武漢新芯在 3 月底於武漢東湖高新區所擘劃的記憶體基地才舉行動土典禮,規劃用於生產 3D-NAND Flash,預計 2018 年建設完成,官方預估,屆時與飛索半導體(Spansion,現已併入 Cypress)合作開發的 3D-NAND Flash 將能達到 32 層堆疊,初期月產能約 20 萬片,武漢新芯目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。

楊文得表示,3D-NAND Flash 的廠房新建等投資遠高於 2D-NAND Flash 數倍,紫光/武漢新芯方若能循華亞科模式取得美光技術授權,則能以較低的財務負擔來獲取長期新產能的布建,更有機會在市占率拉近與三星和東芝/威騰(WD)陣營的距離。

 

3D-NAND Flash 現擴產潮

目前各家大廠在 3D-NAND Flash 產能的布建,三星在西安廠的投資外,韓國平澤廠區也規劃加大 3D-NAND Flash 產能,東芝與威騰(WD)旗下 SanDisk 日本 Fab2 廠在日前開幕,新廠也可望自 2018 下半年投產,海力士則除現階段 M11 與 M12 廠外,M14 廠第二階段 3D-NAND 的生產也將從明年第一季後開始進行。英特爾美光陣營在今年 3 月擴建新加坡 Fab10X 外,英特爾大連廠轉型生產 3D-NAND Flash 晶片也在這個月 25 日正式投產。

DRAMeXchange 預估,2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年複合成長率高達 47%,在 SSD 需求高度成長的帶動下,NAND Flash 未來 10 年可望皆維持強勁成長態勢。

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(首圖來源:達志影像)

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