Tag Archives: 3D-NAND Flash

東芝記憶體傳砸 3 千億日圓,增產 3D NAND

作者 |發布日期 2019 年 10 月 01 日 8:30 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

日刊工業新聞 9 月 30 日報導,全球第二大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商「東芝記憶體 Holdings」(Toshiba Memory Holdings)將在旗下四日市工廠興建最先端的 3D NAND Flash 新廠房,預估新廠房將在 2020 年 12 月動工、2022 年夏天完工,總投資額預估達 3,000 億日圓,目標是藉此在先端領域超越南韓三星電子。 繼續閱讀..

格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片,稱成熟度優於台積電 7 奈米

作者 |發布日期 2019 年 08 月 09 日 16:00 |
分類 晶圓 , 晶片 , 處理器

晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片,將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點,使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後,半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用,英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今,ARM 和格芯也加入這領域。

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英特爾不打算擴產 Nand Flash,但計劃遷移 3D XPoint 產線至中國

作者 |發布日期 2019 年 05 月 14 日 14:15 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件

根據國外科技媒體《Anandtechi》報導,由於 NAND Flash 市場當前供過於求的情況,造成市場價格不斷下跌。因此英特爾(intel)決定 2019 年降低 NAND Flash 的產量。據英特爾執行長 Bob Swan 之前投資公告表示,英特爾未來短時間不會增加 NAND Flash 產能。因與記憶體大廠美光(Micron)拆夥,英特爾決定把 3D XPoint / Optane 等 Flash 生產線移至中國。

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長江存儲宣布 2019 年將量產 64 層堆疊 NAND Flash,恐衝擊產業生態

作者 |發布日期 2019 年 04 月 15 日 17:40 |
分類 中國觀察 , 國際貿易 , 手機

紫光集團旗下的長江存儲是中國三大記憶體陣營中主要發展 NAND Flash 快閃記憶體的公司,2018 年雖然已經小規模試產了 32 層堆疊的 3D NAND Flash,不過長江存儲並沒有大規模生產 32 層堆疊的 3D NAND Flash。根據外媒報導指出,該公司的技術長程衛華在接受採訪時表示,預計 2019 年下半年長江存儲將量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash,而且目前計畫進展順利。

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旺季不旺,第三季 NAND Flash 品牌商營收季增幅僅 4.4%

作者 |發布日期 2018 年 11 月 19 日 14:45 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新報告指出,隨著 64 / 72 層 3D NAND 生產良率漸趨成熟及供給持續增加,第三季 NAND Flash 供給穩定成長,但需求面受中美貿易戰影響,加上英特爾 CPU 缺貨、蘋果新機銷售不如預期等因素,導致旺季不旺,自年初以來的供給過剩仍難以消弭,NAND Flash 各類產品合約價仍走跌,第三季平均價格跌幅達 10-15%。 繼續閱讀..

全球首款!SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND,年內量產

作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

韓聯社、東亞日報日文版報導,南韓半導體大廠 SK 海力士(SK Hynix Inc.)於 4 日宣布,已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示,現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF(Charge Trap Flash,電荷儲存式快閃記憶體),而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC(Peri Under Cell)」技術,研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell(Triple Level Cel,TLC)4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..

英特爾中國大連第 2 期 NAND Flash 工廠投產,將生產 96 層堆疊產品

作者 |發布日期 2018 年 09 月 25 日 15:00 |
分類 國際貿易 , 處理器 , 記憶體

處理器大廠英特爾(Intel)在 2015 年宣布,其總投資 55 億美元的中國大連的 Fab 68 晶圓廠第 2 期工程改造為 NAND Flash 快閃記憶體工廠之後,現在宣布已經正式投產。未來,主要將生產 96 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體,積極追趕競爭對手的市占率。

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東芝增產 3D NAND,7 月蓋新廠導入 AI 改善良率

作者 |發布日期 2018 年 05 月 23 日 8:45 |
分類 AI 人工智慧 , 儲存設備 , 國際貿易

東芝(Toshiba)旗下半導體事業子公司「東芝記憶體」(TMC)22 日發新聞稿宣布,因 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)「BiCS FLASH」中長期需求料將呈現擴大,因此為了擴增 3D NAND Flash 產能,決定將在 2018 年 7 月於岩手縣北上市著手興建新工廠,該座北上新廠廠房預計將在 2019 年完工。 繼續閱讀..

第二季 eMMC / UFS 價格跌幅加深,下半年隨旺季需求價格回穩

作者 |發布日期 2018 年 05 月 09 日 14:35 |
分類 手機 , 記憶體 , 財經

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXc hange)調查指出,儘管智慧型手機、筆記型電腦等需求在工作天數回復下較第一季提升,但仍無法抵銷 3D NAND Flash 產能增加及良率改善帶動供給的成長,使供應商面對較高的庫存壓力,不得不進一步向下調整價格。 繼續閱讀..