晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點，使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用，英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今，ARM 和格芯也加入這領域。
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英特爾不打算擴產 Nand Flash，但計劃遷移 3D XPoint 產線至中國 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2019 年 05 月 14 日 14:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 |
根據國外科技媒體《Anandtechi》報導，由於 NAND Flash 市場當前供過於求的情況，造成市場價格不斷下跌。因此英特爾（intel）決定 2019 年降低 NAND Flash 的產量。據英特爾執行長 Bob Swan 之前投資公告表示，英特爾未來短時間不會增加 NAND Flash 產能。因與記憶體大廠美光（Micron）拆夥，英特爾決定把 3D XPoint / Optane 等 Flash 生產線移至中國。
長江存儲宣布 2019 年將量產 64 層堆疊 NAND Flash，恐衝擊產業生態 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2019 年 04 月 15 日 17:40 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 手機 |
紫光集團旗下的長江存儲是中國三大記憶體陣營中主要發展 NAND Flash 快閃記憶體的公司，2018 年雖然已經小規模試產了 32 層堆疊的 3D NAND Flash，不過長江存儲並沒有大規模生產 32 層堆疊的 3D NAND Flash。根據外媒報導指出，該公司的技術長程衛華在接受採訪時表示，預計 2019 年下半年長江存儲將量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash，而且目前計畫進展順利。
長江存儲：64 層 NAND 年底如期量產！技術差或縮至 2 年 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2019 年 03 月 22 日 12:00 | 分類 記憶體 , 零組件 |
中美貿易戰下，中國記憶體商福建晉華，遭美國指控竊取商業機密，發展停擺。不過另一家記憶體商長江存儲似乎未受影響，今年底將如期量產 64 層 3D NAND flash。專家稱，量產後長江存儲和國外大廠的技術差距，將縮小至兩年。 繼續閱讀..
旺季不旺，第三季 NAND Flash 品牌商營收季增幅僅 4.4% |
| 作者 TechNews|發布日期 2018 年 11 月 19 日 14:45 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 |
根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新報告指出，隨著 64 / 72 層 3D NAND 生產良率漸趨成熟及供給持續增加，第三季 NAND Flash 供給穩定成長，但需求面受中美貿易戰影響，加上英特爾 CPU 缺貨、蘋果新機銷售不如預期等因素，導致旺季不旺，自年初以來的供給過剩仍難以消弭，NAND Flash 各類產品合約價仍走跌，第三季平均價格跌幅達 10-15%。 繼續閱讀..
全球首款！SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND，年內量產 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 |
韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix Inc.）於 4 日宣布，已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示，現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，電荷儲存式快閃記憶體），而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC（Peri Under Cell）」技術，研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..
旺宏第 3 季每股賺 1.05 元，高容量 NOR 穩 |
| 作者 中央社|發布日期 2018 年 10 月 24 日 18:30 | 分類 記憶體 , 財經 |
旺宏第 3 季毛利率降至 35%，歸屬母公司淨利新台幣 19.16 億元，季減 18%，每股純益 1.05 元。旺宏董事長吳敏求預期，第 4 季高容量 NOR Flash 價格仍可望持穩。 繼續閱讀..
旺季需求不明顯供給增加，下半年 NAND Flash 合約價續跌 |
| 作者 TechNews|發布日期 2018 年 07 月 31 日 15:20 | 分類 晶片 , 零組件 |
根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMe
2021 年 140 層堆疊 3D NAND Flash 將推出，容量也將翻倍增加 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2018 年 05 月 15 日 15:45 | 分類 記憶體 , 零組件 |
全球半導體材料及設備大廠應用材料公司，在目前舉行中的國際儲存研討會 2018（IMW 2018）表示，2021 年 3D NAND Flash 的堆疊層數將超過 140 層，且每一層厚度會不斷變薄，屆時將提供更大容量、更小體積的儲存空間。
