根據市場調查研究機構《IC Insights》的預測,預計自 2020 年開始,全球半導體企業將開始進行擴產,新增生產設備及產線之後,2021 年半導體產業新增的產能可望創下歷史新高。
因應記憶體市場復甦,各廠商積極擴產至 2021年創產能歷史新高 |
作者 Atkinson|發布日期 2019 年 12 月 23 日 16:45 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 記憶體 |
格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片,稱成熟度優於台積電 7 奈米 |
作者 Atkinson|發布日期 2019 年 08 月 09 日 16:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 處理器 | edit |
晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片,將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點,使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後,半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用,英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今,ARM 和格芯也加入這領域。
英特爾不打算擴產 Nand Flash,但計劃遷移 3D XPoint 產線至中國 |
作者 Atkinson|發布日期 2019 年 05 月 14 日 14:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 | edit |
根據國外科技媒體《Anandtechi》報導,由於 NAND Flash 市場當前供過於求的情況,造成市場價格不斷下跌。因此英特爾(intel)決定 2019 年降低 NAND Flash 的產量。據英特爾執行長 Bob Swan 之前投資公告表示,英特爾未來短時間不會增加 NAND Flash 產能。因與記憶體大廠美光(Micron)拆夥,英特爾決定把 3D XPoint / Optane 等 Flash 生產線移至中國。
長江存儲宣布 2019 年將量產 64 層堆疊 NAND Flash,恐衝擊產業生態 |
作者 Atkinson|發布日期 2019 年 04 月 15 日 17:40 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 手機 | edit |
紫光集團旗下的長江存儲是中國三大記憶體陣營中主要發展 NAND Flash 快閃記憶體的公司,2018 年雖然已經小規模試產了 32 層堆疊的 3D NAND Flash,不過長江存儲並沒有大規模生產 32 層堆疊的 3D NAND Flash。根據外媒報導指出,該公司的技術長程衛華在接受採訪時表示,預計 2019 年下半年長江存儲將量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash,而且目前計畫進展順利。
旺季不旺,第三季 NAND Flash 品牌商營收季增幅僅 4.4% |
作者 TechNews|發布日期 2018 年 11 月 19 日 14:45 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 | edit |
根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新報告指出,隨著 64 / 72 層 3D NAND 生產良率漸趨成熟及供給持續增加,第三季 NAND Flash 供給穩定成長,但需求面受中美貿易戰影響,加上英特爾 CPU 缺貨、蘋果新機銷售不如預期等因素,導致旺季不旺,自年初以來的供給過剩仍難以消弭,NAND Flash 各類產品合約價仍走跌,第三季平均價格跌幅達 10-15%。 繼續閱讀..
全球首款!SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND,年內量產 |
作者 MoneyDJ|發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 | edit |
韓聯社、東亞日報日文版報導,南韓半導體大廠 SK 海力士(SK Hynix Inc.)於 4 日宣布,已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示,現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF(Charge Trap Flash,電荷儲存式快閃記憶體),而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC(Peri Under Cell)」技術,研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell(Triple Level Cel,TLC)4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..