威騰鎧俠成功開發 112 層堆疊 BiCS5 技術 3D NAND Flash

作者 | 發布日期 2020 年 02 月 24 日 16:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly


記憶體大廠威騰電子(Western Digital)24 日宣布,成功開發出第 5 代 3D NAND Flash 的技術 BiCS5,未來將持續提供業界最先進的快閃記憶體技術,維持其領導地位。

Western Digital 指出,BiCS5 採用 3 層單元(TLC)與 4 層單元(QLC)兩種架構,能以極具吸引力的成本提供卓越的容量、效能與穩定性,滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。目前,Western Digital 已開始生產 512Gb 的 BiCS5 TLC,並預計在 2020 年下半年就能開始商業化量產,供應採用新技術的消費性產品。未來,BiCS5 TLC 與 BiCS5 QLC 將提供包括 1.33Tb 等多樣的儲存容量選擇。

Western Digital 進一步指出,隨著下一個十年的到來,如何增加 3D NAND Flash 容量以滿足龐大且快速增長的資料量需求是重要關鍵。藉由成功開發 BiCS5,Western Digital 展現了領先業界的快閃記憶體技術,及強大的計畫執行力。Western Digital 利用更先進的多層儲存通孔(multi-tier memory hole)技術來增加橫向儲存密度,同時透過增加儲存層讓 3D NAND Flash 技術的容量與效能顯著提升,以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。

採用多種新技術與創新製造工藝的 BiCS5 是 Western Digital 目前密度最高、最先進的 3D NAND Flash 技術。第二代多層儲存通孔技術、優化的工程設計流程及其他先進的 3D NAND Flash 儲存單元技術大幅提升了晶圓的橫向儲存單元陣列密度。此外,BiCS5 擁有 112 層垂直堆疊的儲存容量,使每晶圓的儲存容量比 96 層的 BiCS4 高出 40% ,可達到最佳成本。新架構設計也為 BiCS5 挹注更高效能,使其 I/O 效能較 BiCS4 提高 50%。

Western Digital 最後強調,BiCS5 是由 Western Digital 與技術製造合作夥伴 Kioxia 共同開發,將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。

(首圖來源:Western Digital)