中國新創璞璘科技（Prinano）宣布，已利用非傳統微影設備技術，在 8 吋矽晶圓上完成光子晶片量產驗證，且成本僅傳統方案的十分之一。
璞璘科技表示，已與深圳力策科技合作製造出 8 吋光學晶圓，並在整個製造過程中完全避開深紫外光微影（DUV）設備。
璞璘科技指出，透過自家研發的 PL-AS 真空氣墊式晶圓級奈米壓印曝光設備，透過真空均勻面接觸壓印技術，將殘留層（Residual Layer）厚度偏差控制在 2 奈米以內，無需 DUV 微影所需的複雜光學系統，即可支援小於 10 奈米線寬加工，並可適用於多種類型基板的量產。
該設備已在三大領域完成規模化驗證，包括大口徑 OPA（光學相位陣列）雷射雷達晶片、光通訊與感測晶片（採用砷化鎵 GaAs／磷化銦 InP 等脆性基板），以及 8 吋矽光子晶圓，實現從製程研發邁向商業化替代方案。
璞璘科技表示，奈米壓印設備結構簡單，無需昂貴光源，耗電量僅為 EUV 的十分之一。相比 DUV，璞璘 PL-AS 的結構更加簡潔，可使用壽命更長的複合模板，最終實現單片成本低至 DUV 方案的十分之一。
在部分 ASML DUV 設備及更先進 EUV 設備的出口禁令下，這項技術有望為中國半導體迎來新轉機，但目前在量產規模、良率及非光子晶片製造方面仍有待確定。
璞璘科技去年 8 月宣布，已向中國客戶交付首套國產半導體奈米壓印曝光設備。該公司於 2017 年成立，並專注於奈米壓印設備、材料及相關製程開發。
雖然 Canon 在 2023 年推出奈米壓印微影設備，使這項技術再度成為焦點，但多位分析師認為 NIL 短期內難以挑戰 ASML 在先進晶片製造領域的主導地位。
研究機構 SemiAnalysis 指出，雖然 NIL 設備成本可能遠低於傳統微影設備，但其真正的成本優勢仍取決於產能（Throughput）、模板製作成本、缺陷率及製程整合能力等因素，NIL 不太可能取代 EUV 在先進製程晶片生產中的地位。
從璞璘科技的最新公告來看，其應用方向相對聚焦，例如將 NIL 用於光子晶片製造，而光子晶片中常見的光柵（Gratings）、波導（Waveguides）與環形共振器（Ring Resonators）等奈米光學結構，本身就是大量重複的圖案，非常適合透過壓印方式複製。
由於璞璘科技尚未公布實際產量、良率、客戶出貨情況或第三方驗證數據，因此外界難以判斷這項技術究竟已從驗證階段進展到何種程度。
（首圖來源：shutterstock）
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